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Auteur: Prithu Chawla, Senior Research Analyst
18 février 2025
Demande de nœuds plus petits : Pour répondre aux exigences élevées des nœuds de semi-conducteurs avancés afin de prendre en charge les nouvelles technologies telles que l’IA, la 5G et l’IoT.
Investissements dans la R&D et la fabrication : Davantage d’investissements dans la recherche, le développement et la fabrication de capacités de semi-conducteurs.
Puces haute performance : Dans tous les secteurs, de l’automobile à l’électronique grand public en passant par les centres de données, un besoin croissant de puces haute performance à faible consommation d’énergie.
Soutien du gouvernement : Efforts visant à développer la production nationale de semi-conducteurs et à réduire de moitié les importations de technologies étrangères.
Avancées technologiques dans l’EUV : La précision et le débit de la production de puces de nouvelle génération ont permis des avancées dans la technologie de lithographie EUV.
Demande croissante des consommateurs : La demande croissante des consommateurs pour des appareils intelligents plus puissants nécessite des puces semi-conductrices plus petites et plus efficaces.
Expansion de la capacité de fonderie : Augmentation de la capacité de fonderie nécessaire pour soutenir le besoin croissant de puces personnalisées des sociétés de semi-conducteurs sans usine.
Selon un nouveau rapport d’UnivDatos, le marché de la lithographie ultraviolette extrême (EUV) devrait atteindre 27 014,4 millions de dollars en 2032, avec un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 12,8 %. Le marché de la lithographie EUV est un segment de marché secondaire de l’industrie des semi-conducteurs qui est nécessaire à la production de puces à des nœuds avancés tels que 5 nm, 3 nm et au-delà. La lithographie EUV, avec une longueur d’onde de 13,5 nm, est utilisée pour la structuration à haute résolution des tranches de semi-conducteurs et est nécessaire au développement de puces plus petites, plus rapides et plus efficaces. Il est essentiel de libérer les innovations dans l’IA, la 5G, l’IoT, les véhicules autonomes et l’électronique grand public. Principalement motivée par le besoin croissant du marché pour des puces haute performance, des investissements importants par des géants de l’industrie tels que TSMC, Samsung et Intel, et des avancées rapides dans la technologie de fabrication de semi-conducteurs. L’adoption de la lithographie EUV dans le monde entier est également facilitée par le financement gouvernemental et la mise en place de chaînes d’approvisionnement de semi-conducteurs par des initiatives gouvernementales.
Les États-Unis, la Corée du Sud et Taïwan sont les pays à la croissance la plus rapide sur le marché de la lithographie EUV, alimentés par leurs écosystèmes de semi-conducteurs solides et des investissements massifs dans les technologies de fabrication les plus avancées. Grâce aux énormes investissements du CHIPS Act et aux nouvelles usines d’Intel et de TSMC, les États-Unis connaissent une croissance rapide. Samsung et SK Hynix de Corée du Sud parient sur l’expansion de leur capacité de fonderie pour répondre à la demande mondiale de puces avancées. TSMC, dont le siège social est à Taïwan, est toujours le leader mondial de la production de puces, car elle possède les capacités les plus avancées et la capacité de produire en grand volume. De plus, la Chine joue un rôle de plus en plus actif, avec des investissements gouvernementaux importants pour réduire la dépendance à l’égard de la technologie étrangère des semi-conducteurs et atteindre l’autosuffisance technologique. L’avenir du marché de la lithographie EUV est impulsé par ces pays, à la fois en stimulant et en intensifiant l’innovation.
Le principal moteur du marché de la lithographie EUV est l’exigence de nœuds de semi-conducteurs plus petits. Avec les progrès technologiques dans des domaines tels que l’IA, la 5G et l’IoT, nous constatons un besoin accru de puces plus petites, plus puissantes et plus économes en énergie. Pour rendre ces technologies avancées possibles, il doit également y avoir des puces avec une densité de transistors plus élevée pour prendre en charge des vitesses de traitement plus rapides et une consommation d’énergie moindre. Pour continuer à dépasser les nœuds de 5 nm, 3 nm et 2 nm, les fabricants de semi-conducteurs doivent de plus en plus s’appuyer sur la lithographie EUV pour permettre la structuration très précise nécessaire pour des tailles de caractéristiques aussi faibles. Cela permet de maintenir la croissance du marché de l’EUV en raison de cette envie de nœuds plus petits.
Les entreprises de semi-conducteurs investissent massivement dans la recherche, le développement et la fabrication, et l’adoption de la lithographie EUV s’accélère. Mais Intel, TSMC et Samsung dépensent des milliards de dollars en recherche et développement dans le domaine de la science du silicium pour rester en tête du monde concurrentiel de la fabrication de puces. L’objectif de ces investissements est l’efficacité de la fabrication, le développement de nouvelles architectures de puces et la création de technologies de semi-conducteurs avancées. Par conséquent, la lithographie EUV est essentielle pour permettre aux puces de nouvelle génération en étendant la pointe de la photolithographie actuelle au-delà de ce qui est actuellement possible.
Un autre moteur principal du marché de l’EUV est le besoin croissant de puces haute performance. Les puces qui offrent des vitesses plus élevées, des capacités de stockage plus importantes et des performances plus économes en énergie sont de plus en plus demandées dans des secteurs tels que l’automobile, l’électronique grand public, les centres de données et l’informatique en nuage. Ces exigences ne peuvent être satisfaites sans des processus de semi-conducteurs avancés, tels que la lithographie EUV, qui permettent la fabrication de puces avec des transistors plus petits, de plus en plus densément regroupés, qui fonctionnent plus rapidement et consomment moins d’énergie. C’est pourquoi, à mesure que la dépendance à l’égard de ces puces continue de croître dans les applications, la demande de technologie EUV croît en même temps.
Une fois de plus, l’adoption de la lithographie EUV dépend fortement des initiatives et du financement gouvernementaux. Cela est particulièrement vrai pour de nombreux gouvernements à travers le monde, y compris ceux de régions comme les États-Unis, l’Europe et l’Asie, qui ont commencé à lancer des initiatives pour accroître la production nationale de semi-conducteurs et réduire leur dépendance à l’égard des technologies étrangères. Par exemple, le CHIPS Act américain dépense de l’argent pour encourager la fabrication nationale de puces, ce qui stimule l’adoption de technologies avancées comme l’EUV. De même, des pays tels que la Corée du Sud et le Japon ont beaucoup investi dans le développement de leurs industries de semi-conducteurs. Cela favorise un environnement dans lequel la technologie EUV prospère et se développe et, plus important encore, cela assure une croissance à long terme du marché.
Le marché de la lithographie EUV bénéficie d’un solide soutien gouvernemental et a connu une croissance prometteuse, grâce à la demande croissante de semi-conducteurs plus petits avec des performances plus élevées et des sciences de la fabrication plus solides. Mais à mesure que des industries comme l’IA, la 5G, l’automobile et l’électronique grand public progressent, les puces haute performance et économes en énergie deviendront encore plus nécessaires, et l’EUV est essentiel pour répondre à ces besoins. Le marché de l’EUV est stimulé par les investissements continus dans la R&D et l’expansion des fonderies, ainsi que par des programmes stratégiques visant à renforcer les chaînes d’approvisionnement de semi-conducteurs et à les soutenir dans leur engagement à concrétiser la fabrication de semi-conducteurs de demain.
Taille du marché, tendances et prévisions par revenus | 2024−2032
Dynamique du marché – Principales tendances, moteurs de croissance, contraintes et opportunités d’investissement
Segmentation du marché – Une analyse détaillée par composant et utilisateur final
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