作者: Jaikishan Verma, Senior Research Analyst
2025年7月2日
再生能源整合：寬能隙半導體技術的採用已在綠色能源應用中得到大力推廣。由於其在高電壓和高溫下工作的卓越性能，同時提高了效率，因此 SiC 和 GaN 正逐漸應用於太陽能逆變器和風力渦輪機中。作為快速切換器，它們減少了能量損失，並帶來了緊湊且可靠的能源系統。隨著各國政府和組織紛紛加緊實現有意義的脫碳，WBG 半導體似乎對於穩定電網、控制能量儲存和無功轉換至關重要，從而推動了永續電力基礎設施的發展。
功率電子技術的進步：功率電子技術的最新創新已使寬能隙半導體應用於汽車、航空航太和工業領域。此類半導體可以提供現代電子設備緊湊尺寸所需的高功率密度、低散熱和更小系統尺寸等特性。更高的切換速度和效率使 WBG 元件最適合用作電動車動力總成、高頻轉換器和智慧電網應用。由於電子系統需要越來越高的性能和更低的能耗，因此功率電子技術的發展進一步推動了對下一代 WBG 半導體技術的需求和開發。
根據 UnivDatos 的一份新報告，寬能隙半導體市場預計到 2033 年將達到美元數百萬，在預測期內（2025-2033 年）以 13.2% 的複合年增長率增長。WBG 半導體市場的成長顯著，能夠提高眾多終端用戶產業的效率、性能和功率處理能力。此外，汽車、消費電子、工業自動化以及電信等終端用戶產業向高效能系統的轉型有助於快速採用。碳化矽 (SiC) 和 氮化鎵 (GaN) 等 WBG 材料比傳統的矽基半導體支援更高的電壓、溫度和頻率，從而實現即時 3D 影像、深度感測和精確控制等功能。這有助於在自駕車中實現面部識別、手勢控制、環境繪圖和光達等應用，這些都是主要的需求來源。隨著產業在縮小尺寸和提高性能效率方面不斷發展，WBG 半導體正在下一代設計中證明其價值。
存取範例報告（包括圖表和數據）：https://univdatos.com/reports/wide-bandgap-semiconductors-market?popup=report-enquiry
根據材料類型，全球寬能隙半導體市場分為碳化矽、氮化鎵和其他。其中，碳化矽類別佔據了相當大的市場佔有率。碳化矽因其卓越的性能品質而佔據了很大的市場佔有率，包括高導熱性、更高的能源效率，並且能夠在高電壓和高溫下運行。考慮到這一點，寬能隙半導體在電動車和工業系統中的需求量很大。由於電動車的日益普及以及對節能技術的關注，全球各主要市場對 SiC 基半導體的需求進一步增加。
根據報告，運輸電氣化已被確定為市場成長的關鍵驅動力。以下是這種影響的一些體現：
運輸電氣化是推動全球寬能隙半導體市場的主要力量之一。隨著汽車產業從內燃機轉向電動車，對更高效、更緊湊和更可靠的功率電子元件的需求不斷增加。碳化矽和氮化鎵等 WBG 材料在技術上比傳統的矽基半導體要好得多。與矽基元件相比，它們具有更高的崩潰電壓、導熱性和切換速度，這些都是高功率 電動車系統的必要特性。
一些 SiC 和 GaN 元件現在更常用於減少能量損失和延長電動車逆變器、車載充電器和 DC-DC 轉換器的電池壽命。溫度的升高和電壓的升高進一步縮小和減輕了這些系統的重量，因此，車輛效率得以提高，冷卻要求得以降低。
隨著世界各國政府提供電動車獎勵並強制執行嚴格的排放標準，對新型功率電子元件以及先進功率電子元件的需求已被提出。
按收入劃分的市場規模、趨勢與預測 | 2025−2033 年。
市場動態 — 主要趨勢、成長驅動力、限制因素與投資機會
市場區隔 — 依材料類型、裝置類型、最終用戶、區域/國家進行的詳細分析
競爭格局 — 主要頂級供應商與其他知名供應商
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