UnivDatos 預測,寬能隙半導體市場預計到 2033 年將飆升,成長率約為 13.2%,達到數百萬美元。

作者: Jaikishan Verma, Senior Research Analyst

2025年7月2日

報告重點摘要

  • 可再生能源整合:寬能隙半導體技術的採用已在綠色能源應用中大力推廣。由於其在高效能下在高電壓和高溫下工作的優異特性,SiC 和 GaN 正逐漸被應用於太陽能逆變器和風力渦輪機。作為快速開關器件,它們減少了能量損失,並帶來緊湊可靠的能源系統。隨著各國政府和組織加強有意義的脫碳,WBG 半導體似乎在穩定電網、控制儲能和無功轉換方面至關重要,為可持續電力基礎設施提供推動力。

  • 電力電子技術的進步:電力電子技術的最新創新推動了寬能隙半導體在汽車、航空航天和工業領域的應用。此類半導體可提供高功率密度、低散熱和更小的系統尺寸,這些都是現代電子設備的緊湊尺寸所需要的。增強的開關速度和效率使 WBG 元件最適合用作電動車 (EV) 傳動系統、高頻轉換器和智慧電網應用。由於電子系統對更低能耗下的更高性能有著持續的需求,正是電力電子技術的進步進一步推動了下一代 WBG 半導體技術的需求和發展。

根據 UnivDatos 的一份新報告,寬能隙半導體市場預計到 2033 年將達到數百萬美元,在預測期間(2025-2033 年)的複合年均成長率為 13.2%。WBG 半導體市場的增長顯著,能夠提高許多終端用戶行業的效率、性能和功率處理能力。此外,汽車、消費電子、工業自動化以及電信等終端用戶行業向高效系統的轉變也促進了快速採用。WBG 材料(如碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN) 比傳統的矽基半導體支援更高的電壓、溫度和頻率,從而實現了實時 3D 成像、深度感測和精確控制等功能。這有助於在自動駕駛汽車中實現面部識別、手勢控制、環境測繪和光達等應用,這些都是主要的推動因素。隨著行業在縮小和性能效率方面不斷發展,WBG 半導體正在下一代設計中證明其價值。

獲取樣本報告(包括圖表和數字):https://univdatos.com/reports/wide-bandgap-semiconductors-market?popup=report-enquiry

改變行業的細分市場

  • 根據材料類型,全球寬能隙半導體市場細分為碳化矽、氮化鎵和其他。其中,碳化矽類別佔據了相當大的市場份額。碳化矽由於其更好的性能品質(包括高導熱性、更高的能源效率以及能夠在高電壓和高溫下運行)而佔據了很大的市場份額。考慮到這一點,寬能隙半導體在電動汽車和工業系統中被廣泛需求。隨著電動汽車的日益普及和對節能技術的關注,全球各主要市場對 SiC 基半導體的需求進一步增加

根據該報告,交通運輸電氣化已被確定為市場成長的主要動力。這種影響的一些體現方式包括:

交通運輸電氣化是推動全球寬能隙半導體市場的主要力量之一。隨著汽車行業從內燃機轉向電動汽車,對更高效、更緊湊、更可靠的電力電子產品的需求正在激增。WBG 材料(如碳化矽和氮化鎵)在技術上比傳統的矽基半導體更好。與矽基半導體相比,它們具有更高的擊穿電壓、導熱性和開關速度,這些都是高功率電動車系統所需的屬性。

一些 SiC 和 GaN 元件現在更常用於電動車逆變器、車載充電器和 DC-DC 轉換器中,以減少能量損失並延長電池壽命。溫度和電壓的升高進一步縮小並減輕了這些系統的重量,因此,提高了車輛效率,降低了冷卻需求。

由於世界各國政府提供電動車激勵措施並實施嚴格的排放標準,對新型電力電子產品(以及由此產生的先進電力電子產品)的需求已經確立。

報告的主要內容

按收入劃分的市場規模、趨勢和預測 | 2025-2033 年。

市場動態 – 主要趨勢、成長動力、限制和投資機會

市場細分 – 按材料類型、設備類型、最終用戶、地區/國家/地區的詳細分析

競爭格局 – 主要供應商和其他主要供應商

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