Автор: Ritika Pandey, Research Analyst
8 августа 2025 г.
Основные моменты отчета:
Согласно новому отчету UnivDatos, ожидается, что рынок пластин из карбида кремния (SiC) достигнет USD млн в 2033 году, увеличиваясь в среднем на 17,03% в течение прогнозируемого периода (2025–2033 гг.). Рынок пластин из карбида кремния (SiC) демонстрирует огромный рост из-за растущей потребности в высокоэффективной силовой электронике в таких важных областях, как электромобили, возобновляемая энергия и промышленные приложения. Кроме того, эти пластины выделяются своей превосходной теплопередачей, более высокой устойчивостью к пробою и более быстрыми характеристиками переключения. Более того, стремительный рост рынка электромобилей является основной движущей силой, поскольку производители автомобилей все чаще включают компоненты на основе карбида кремния в инверторы, бортовые зарядные устройства и силовые агрегаты для повышения энергоэффективности. Кроме того, переход к возобновляемым источникам энергии, таким как солнечная и ветряная энергия, также повышает потребность в более эффективных системах преобразования энергии, что еще больше увеличивает спрос на пластины SiC. Кроме того, промышленная автоматизация, инфраструктура 5G и аэрокосмический сектор играют ключевую роль, поскольку они остро нуждаются в компактных, надежных и термостойких электронных системах. Например, 01 марта 2023 года корпорация Resonac объявила о разработке третьего поколения высококачественной эпитаксиальной пластины из карбида кремния (SiC) (HGE-3G) для силовых полупроводников и начала ее массовое производство. Кроме того, 25 апреля 2022 года Wolfspeed открыла крупнейший в мире завод по производству карбида кремния размером 200 мм, что позволило наладить долгожданное производство устройств. Другим примером является внедрение услуг литейного производства ионной имплантации с подогревом для 150-мм пластин из карбида кремния компанией II‐VI Incorporated компании Coherent Corp 21 июня 2021 года.
Согласно отчету, определенные правила и нормы безопасности формируют глобальный рынок пластин из карбида кремния (SiC).
Поскольку рынок пластин из карбида кремния (SiC) расширяется во всем мире, особенно в крупных автомобильном и полупроводниковом секторах, соблюдение этих правил безопасности становится все более важным. Эти правила и нормы безопасности защищают работников, а также поддерживают устойчивые, соответствующие требованиям и ответственные методы производства.
Предел воздействия и мониторинг на рабочем месте
Карбид кремния может воздействовать на дыхательную систему и может дополнительно раздражать глаза. Он включен в список опасных веществ и регулируется OSHA и цитируется ACGIH и NIOSH. Некоторые правила и нормы были разработаны для борьбы с предельными значениями воздействия на рабочем месте.
Правила и нормы безопасности для работников
Вентиляция и технические средства контроля
Гигиена и первая помощь
Соответствие нормативным требованиям и торговле
Регулирование включает ограничения на воздействие, инженерные средства контроля, использование средств индивидуальной защиты, гигиену и дезинфекцию объектов, а также соблюдение правил экспорта для обеспечения общей безопасности производства пластин SiC и защиты сотрудников и других лиц на предприятии при соблюдении международных химических и экспортных правил.
Получите образец отчета (включая графики, диаграммы и рисунки): https://univdatos.com/reports/silicon-carbide-wafer-market?popup=report-enquiry
Строгие правила и нормы безопасности необходимы для роста рынка пластин из карбида кремния (SiC).
Следовательно, для благополучия сотрудников, сохранения окружающей среды и повышения производительности организации производители должны соблюдать правила и нормы безопасности в индустрии пластин SiC. Ожидается, что спрос на пластины SiC резко возрастет во многих отраслях, таких как электромобили, возобновляемая энергия и сложные электронные устройства. Поэтому крайне важно, чтобы производители помнили о правилах и нормах безопасности на национальном и международном уровнях (например, OSHA, NIOSH, REACH, RoHS). Постоянные безопасные методы и соблюдение планов контроля пыли, предоставление средств индивидуальной защиты и надлежащее обращение с химическими веществами являются передовыми методами, направленными на обеспечение устойчивости всей отрасли в обозримом будущем.
Азиатско-Тихоокеанский регион стимулирует рост рынка
Азиатско-Тихоокеанский регион движется к тому, чтобы стать центром мирового рынка пластин из карбида кремния (SiC). Быстрое развитие индустриализации и всплеск внедрения электромобилей в таких странах, как Китай, Япония и Южная Корея, еще больше стимулируют рост рынка в регионе. В этом регионе также существует богатая экосистема производителей электроники, автомобилей и силовых полупроводников, что предоставляет широкие возможности для процветания спроса на SiC. Кроме того, рынок испытывает склонность к инвестициям, появляющимся в инфраструктуре возобновляемой энергетики, в сочетании с заявлениями стран об углеродной нейтральности. Кроме того, компании используют спрос посредством стратегического партнерства с региональными компаниями, местного производства и усилий в области исследований и разработок для повышения качества пластин и снижения затрат на производство. Следовательно, для достижения желаемых темпов роста компаниям следует сосредоточиться на увеличении производства 8-дюймовых пластин, расширении сотрудничества с инициативами, поддерживаемыми правительством, и предоставлении индивидуальных прикладных решений для решения уникальных промышленных и энергетических проблем, с которыми сталкивается Азиатско-Тихоокеанский регион.
Ключевые предложения отчета
Размер рынка, тенденции и прогноз по выручке | 2025–2033 гг.
Динамика рынка – ведущие тенденции, факторы роста, ограничения и инвестиционные возможности
Сегментация рынка – подробный анализ по размеру пластин, применению, конечному пользователю, региону/стране
Конкурентная среда – ведущие ключевые поставщики и другие видные поставщики
Заказать звонок
Отправляя эту форму, я понимаю, что мои данные будут обработаны Univdatos, как указано выше и описано в Политике конфиденциальности. *