Thị trường tấm wafer Silicon Carbide (SiC): Phân tích hiện tại và Dự báo (2025-2033)

Quy Mô & Dự Báo Thị Trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC)

Quy mô Thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC) được định giá 1156,66 triệu USD vào năm 2024 và dự kiến sẽ tăng trưởng với tốc độ CAGR mạnh mẽ là 17,03% trong giai đoạn dự báo (2025-2033F) do nhu cầu ngày càng tăng đối với xe điện (EV), những tiến bộ trong điện tử công suất, và nhu cầu về tính năng thu nhỏ và hiệu suất cao.

Phân Tích Thị Trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC)

Ngành công nghiệp tấm wafer SiC đang chứng kiến tốc độ tăng trưởng cao hơn về nhu cầu do các yếu tố như tăng cường sử dụng xe điện (EV), năng lượng tái tạo cao hơn và đầu tư vào cơ sở hạ tầng 5G. Do các đặc tính vượt trội của nó, chẳng hạn như độ dẫn nhiệt cao, hoạt động điện áp cao và tổn thất chuyển mạch thấp, các thiết bị nguồn SiC rất phù hợp cho hệ thống truyền động EV, biến tần mặt trời, trạm gốc và các ứng dụng RF tần số cao khác. Ngoài ra, một trong những phát triển lớn nhất đang diễn ra là sự chuyển đổi của ngành từ sản xuất wafer 6 inch sang 8 inch. Sự chuyển đổi này dự kiến sẽ mở rộng đáng kể trong năm dự báo. Hơn nữa, nó dự kiến sẽ thúc đẩy chi phí thấp hơn, năng suất cao hơn từ 5–10 điểm và cung cấp sự mở rộng về tỷ suất lợi nhuận. Hơn nữa, việc mua lại và hợp tác thượng nguồn tạo điều kiện cho tích hợp theo chiều dọc, cho phép kiểm soát tốt hơn chất lượng vật liệu, độ tin cậy của chuỗi cung ứng, sự đơn giản của chi phí và lợi thế cạnh tranh. Do đó, xe điện, năng lượng tái tạo, viễn thông, mở rộng quy mô wafer và tích hợp theo chiều dọc là một số yếu tố thúc đẩy tạo ra sự năng động và tăng trưởng cao trong thị trường wafer Silicon Carbide.

Xu Hướng Thị Trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC)

Phần này thảo luận về các xu hướng thị trường chính ảnh hưởng đến các phân khúc khác nhau của thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC) như được xác định bởi các chuyên gia nghiên cứu của chúng tôi.

Tập trung vào Thiết bị SiC Cấp Ô tô

Việc ngày càng chú trọng vào các thiết bị Silicon Carbide (SiC) cấp ô tô là một xu hướng lớn trên thị trường tấm wafer silicon carbide, điều này đang làm tăng hiệu quả nhu cầu đối với tấm wafer SiC. Hơn nữa, việc sử dụng ngày càng nhiều xe điện (EV) trên thị trường thương mại đã làm tăng yêu cầu đối với hệ thống truyền động điện. Các thiết bị SiC mang lại điện áp cao hơn và tổn thất chuyển mạch thấp hơn của MOSFET kết hợp với dẫn nhiệt tốt hơn của điốt Schottky, mang lại tiện ích tăng lên trong silicon. Ngoài ra, nó chuyển thành phạm vi lái xe dài hơn, thời gian sạc ngắn hơn và thiết kế hệ thống nhỏ gọn hơn. Hơn nữa, biến tần lực kéo, bộ chuyển đổi DC-DC và bộ sạc tích hợp trên xe trong các ứng dụng ô tô sẽ được hưởng lợi nhiều nhất từ tấm wafer SiC. Do đó, những yêu cầu này đã tạo ra một trọng tâm mới cho các nhà sản xuất đối với các thiết bị SiC cấp ô tô đáp ứng các tiêu chuẩn chất lượng nghiêm ngặt của ngành công nghiệp ô tô, chẳng hạn như AEC-Q101.

Phân Khúc Ngành Công Nghiệp Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC)

Phần này cung cấp phân tích về các xu hướng chính trong từng phân khúc của báo cáo thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC) toàn cầu, cùng với dự báo ở cấp độ toàn cầu, khu vực và quốc gia cho giai đoạn 2025-2033.

Danh mục sản phẩm 6 inch chiếm ưu thế trên thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC).

Dựa trên kích thước wafer, thị trường được phân chia thành 4 Inch, 6 Inch, 8 Inch và các loại khác. Wafer 6 inch thống trị thị trường vì khả năng chịu nhiệt tuyệt vời, dung lượng nhiệt cao, tốc độ cao, băng thông rộng và hiệu suất tốt. Các nhà sản xuất thiết bị điện đang sử dụng các wafer này vì kích thước phù hợp cho sản xuất khối lượng lớn và hiệu quả chi phí. Hơn nữa, kích thước phù hợp của chúng cho phép các nhà sản xuất sản xuất nhiều thiết bị cùng một lúc, do đó mang lại hiệu quả về chi phí. Với tốc độ sản xuất cao hơn, chúng vẫn duy trì các đặc tính dẫn nhiệt tuyệt vời và tổn thất điện thấp. Kích thước này hoạt động tốt cho xe điện, hệ thống năng lượng xanh và nguồn cung cấp điện lớn cho các nhà máy. Hơn nữa, wafer 6 inch cũng phù hợp với các dây chuyền sản xuất đã được thiết lập, do đó giảm chi phí sản xuất và làm cho sản xuất nhanh hơn. Khi nhu cầu về các thành phần mạnh mẽ và tiết kiệm năng lượng tiếp tục tăng lên, việc sử dụng rộng rãi wafer SiC 6 inch sẽ thúc đẩy đáng kể sự mở rộng thị trường.

Danh mục thiết bị điện chiếm ưu thế trên thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC).

Dựa trên ứng dụng, thị trường được phân chia thành thiết bị điện, điện tử & quang điện tử, thiết bị tần số vô tuyến (RF) và các loại khác. Trên thị trường wafer silicon carbide (SiC), danh mục thiết bị điện chiếm ưu thế vì các đặc tính đặc trưng của vật liệu SiC làm cho nó rất phù hợp cho điện tử công suất hiệu suất cao. Với điện áp đánh thủng vượt trội và tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, các thiết bị nguồn SiC, chẳng hạn như MOSFET và diode Schottky, vượt trội hơn so với các thiết bị silicon tương đương. Hơn nữa, việc sử dụng năng lượng rẻ, kích thước hệ thống nhỏ hơn và yêu cầu làm mát thấp hơn là những tính năng bắt buộc trong các ứng dụng cao cấp như xe điện (EV), hệ thống năng lượng tái tạo, ổ đĩa động cơ công nghiệp và lưới điện thông minh. Với hiệu quả năng lượng và điện khí hóa đang được tiến hành, các thiết bị nguồn dựa trên SiC đã mở đường cho việc thay thế các thiết bị silicon thông thường trong chuyển đổi và điều khiển năng lượng. Ngành công nghiệp ô tô đang phát triển vượt bậc, mang đến cơ hội lớn để tăng số lượng thiết bị SiC để cải thiện hiệu quả hệ thống truyền động và do đó kéo dài phạm vi pin.

Bắc Mỹ nắm giữ thị phần thống trị trên thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC) vào năm 2024

Khu vực Bắc Mỹ đã chứng kiến sự tăng trưởng vượt bậc trên thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC) nhờ sự hỗ trợ đáng kể từ các chính phủ thành viên. Ngoài ra, các chương trình tài trợ, tín dụng thuế và cho vay giúp đưa năng lực bán dẫn quan trọng vào bờ, giảm sự phụ thuộc vào các nhà cung cấp nước ngoài ở Bắc Mỹ. Ngoài ra, các công ty sản xuất đang cam kết hàng tỷ đô la để xây dựng và mở rộng các nhà máy sản xuất wafer silicon carbide 200 mm mới trong khu vực Bắc Mỹ. Hơn nữa, việc phát triển năng lực nhà máy sản xuất trên bờ mới đang tăng cường năng lực sản xuất, cho phép các nhà sản xuất truyền thống tích hợp theo chiều dọc việc sản xuất wafer với lắp ráp thiết bị, củng cố chuỗi cung ứng địa phương. Ngoài ra, các trung tâm nghiên cứu như PowerAmerica và Trung tâm Tinh thể Silicon Carbide của onsemi đảm bảo sự dễ dàng trong việc tạo điều kiện chuyển giao công nghệ nhanh chóng từ phòng thí nghiệm sang nhà máy sản xuất. Nhìn chung, sự thúc đẩy phối hợp này từ khu vực công và tư nhân, bao gồm chính sách, đầu tư, tích hợp mới, đổi mới và nhu cầu thị trường cuối, đang thúc đẩy Bắc Mỹ trở thành khu vực dẫn đầu toàn cầu trên thị trường wafer silicon carbide.

Hoa Kỳ nắm giữ thị phần thống trị trên thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC) Bắc Mỹ vào năm 2024.

Sự tăng trưởng của thị trường wafer silicon carbide (SiC) ở Hoa Kỳ được thúc đẩy bởi nhu cầu về các thành phần SiC hiệu suất cao, điện áp cao, tỷ lệ sử dụng EV ngày càng tăng, triển khai năng lượng tái tạo, mở rộng trung tâm dữ liệu và triển khai cơ sở hạ tầng 5G. Ngoài ra, các nhà sản xuất hàng đầu của Hoa Kỳ đang nỗ lực đổi mới, để trở nên tích hợp theo chiều dọc hơn và đáp ứng các tiêu chuẩn chất lượng cấp ô tô. Hơn nữa, một loạt các khoản tài trợ của liên bang thông qua Đạo luật CHIPS và Khoa học đã hướng hàng tỷ đô la vào các nhà máy sản xuất wafer SiC lên tới 750 triệu USD cho Wolfspeed, 225 triệu USD cho Bosch, để xây dựng và mở rộng các nhà máy sản xuất wafer SiC ở Bắc Carolina, California và hơn thế nữa với mục tiêu tăng năng lực sản xuất của Hoa Kỳ. Hơn nữa, Wolfspeed sẽ tận dụng các khoản tiền này với đầu tư tư nhân để xây dựng các nhà máy sản xuất 200 mm "thay đổi cuộc chơi" ở Upstate New York và Quận Chatham, và Bosch sẽ thay đổi hoàn toàn địa điểm Roseville của mình thành một trung tâm SiC lớn của Hoa Kỳ, cung cấp gần 40% năng lực quốc gia vào năm 2026. Do đó, quan hệ đối tác công tư đang biến ngành công nghiệp Hoa Kỳ thành nhà lãnh đạo thị trường toàn cầu trong sản xuất wafer silicon carbide và đảm bảo chuỗi cung ứng thế hệ tiếp theo.

Bối Cảnh Cạnh Tranh Của Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC)

Thị trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC) có tính cạnh tranh và phân mảnh, với một số người chơi thị trường toàn cầu và quốc tế. Các công ty chủ chốt đang áp dụng các chiến lược tăng trưởng khác nhau để tăng cường sự hiện diện trên thị trường của họ, chẳng hạn như quan hệ đối tác, thỏa thuận, hợp tác, ra mắt sản phẩm mới, mở rộng địa lý và sáp nhập và mua lại.

Các Công Ty Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC) Hàng Đầu

Các công ty lớn đang hoạt động trên thị trường là Wolfspeed, Inc., Coherent Corp., Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd, STMicroelectronics NV, Resonac Holdings Corporation, Atecom Technology Co. Ltd, SK Siltron Co. Ltd., SiCrystal GmbH, TankeBlue Co. Ltd. và Silicon Valley Microelectronics (SVM)

Tin Tức Thị Trường Tấm Wafer Silicon Carbide (SiC)

• Vào ngày 7 tháng 3 năm 2022, II‐VI Incorporated, một trong những công ty hàng đầu về chất bán dẫn vùng cấm rộng, đã thông báo rằng họ sẽ đẩy nhanh đầu tư vào sản xuất wafer chất nền và biểu mô silicon carbide (SiC) 150 mm và 200 mm với việc mở rộng quy mô lớn các nhà máy ở Easton, Pennsylvania, và Kista, Thụy Điển. Đây là một phần trong khoản đầu tư 1 tỷ đô la mà Công ty đã công bố trước đó vào SiC trong 10 năm tới.

• Vào ngày 24 tháng 9 năm 2024, Resonac Corporation thông báo rằng họ đã ký một thỏa thuận với Soitec, một nhà sản xuất người Pháp về vật liệu chất nền bán dẫn tiên tiến, để cùng phát triển chất nền liên kết silicon carbide (SiC) 200mm (8 inch), chất này sẽ đóng vai trò là vật liệu cho wafer biểu mô SiC được sử dụng trong chất bán dẫn công suất.

• Vào ngày 23 tháng 4 năm 2024, Infineon Technologies đã hoàn tất thỏa thuận với nhà sản xuất chất bán dẫn toàn cầu SK Siltron CSS, nhằm quy định việc SK Siltron sản xuất wafer silicon carbide 150 mm cho Infineon.

Phạm Vi Báo Cáo Thị Trường Tấm Wafer Carbide (SiC)