Thị trường tấm wafer Silicon Carbide (SiC): Phân tích hiện tại và dự báo (2025-2033)

Quy mô & Dự báo Thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC)

Thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC) được định giá 1156,66 triệu USD vào năm 2024 và dự kiến sẽ tăng trưởng với tốc độ CAGR mạnh mẽ là 17,03% trong giai đoạn dự báo (2025-2033F) do nhu cầu ngày càng tăng đối với xe điện (EV), những tiến bộ trong điện tử công suất và nhu cầu về thu nhỏ và hiệu suất cao.

Phân tích Thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC)

Ngành công nghiệp wafer SiC đang chứng kiến tốc độ tăng trưởng cao hơn về nhu cầu do các yếu tố như tăng cường áp dụng xe điện (EV), năng lượng tái tạo cao hơn và đầu tư cơ sở hạ tầng 5G. Do các đặc tính vượt trội của nó, chẳng hạn như độ dẫn nhiệt cao, hoạt động điện áp cao và tổn thất chuyển mạch thấp, các thiết bị nguồn SiC rất phù hợp cho hệ thống truyền động EV, biến tần năng lượng mặt trời, trạm gốc và các ứng dụng RF tần số cao khác. Ngoài ra, một trong những phát triển lớn nhất đang diễn ra là quá trình chuyển đổi của ngành từ sản xuất wafer 6 inch sang 8 inch. Sự chuyển đổi này dự kiến sẽ mở rộng đáng kể trong năm dự báo. Hơn nữa, nó được kỳ vọng sẽ thúc đẩy chi phí thấp hơn, năng suất cao hơn từ 5–10 điểm và cung cấp sự mở rộng về lợi nhuận. Hơn nữa, việc mua lại và hợp tác thượng nguồn tạo điều kiện cho tích hợp dọc, cho phép kiểm soát tốt hơn chất lượng vật liệu, độ tin cậy của chuỗi cung ứng, sự đơn giản về chi phí và lợi thế cạnh tranh. Do đó, xe điện, năng lượng tái tạo, viễn thông, mở rộng quy mô wafer và tích hợp dọc là một số yếu tố thúc đẩy tạo ra sự tăng trưởng mạnh mẽ và năng động trong thị trường wafer Silicon Carbide.

Xu hướng Thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC)

Phần này thảo luận về các xu hướng thị trường chính ảnh hưởng đến các phân khúc khác nhau của thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC) như được xác định bởi các chuyên gia nghiên cứu của chúng tôi.

Tập trung vào Thiết bị SiC Cấp Ô tô

Việc ngày càng chú trọng vào các thiết bị Silicon Carbide (SiC) cấp ô tô là một xu hướng lớn trên thị trường wafer silicon carbide, điều này đang thúc đẩy hiệu quả nhu cầu về wafer SiC. Hơn nữa, việc tăng cường áp dụng xe điện (EV) trên thị trường thương mại đã làm tăng các yêu cầu đối với hệ thống truyền động điện. Các thiết bị SiC cung cấp điện áp cao hơn và tổn thất chuyển mạch thấp hơn của MOSFET kết hợp với khả năng dẫn nhiệt tốt hơn của điốt Schottky giúp tăng tính hữu dụng trong silicon. Ngoài ra, nó chuyển thành phạm vi lái xe dài hơn, thời gian sạc ngắn hơn và thiết kế hệ thống nhỏ gọn hơn. Hơn nữa, biến tần lực kéo, bộ chuyển đổi DC-DC và bộ sạc trên xe trong các ứng dụng ô tô sẽ được hưởng lợi nhiều nhất từ các wafer SiC. Do đó, những yêu cầu này đã tạo ra một trọng tâm mới cho các nhà sản xuất đối với các thiết bị SiC cấp ô tô đáp ứng các tiêu chuẩn chất lượng nghiêm ngặt của ngành công nghiệp ô tô, chẳng hạn như AEC-Q101.

Phân khúc Ngành Công nghiệp Wafer Silicon Carbide (SiC)

Phần này cung cấp phân tích các xu hướng chính trong từng phân khúc của báo cáo thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC) toàn cầu, cùng với dự báo ở cấp độ toàn cầu, khu vực và quốc gia cho năm 2025-2033.

Danh mục sản phẩm 6 inch thống trị thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC).

Dựa trên kích thước wafer, thị trường được phân khúc thành 4 Inch, 6 Inch, 8 Inch và các loại khác. Wafer 6 inch thống trị thị trường vì khả năng chịu nhiệt tuyệt vời, dung lượng nhiệt cao, tốc độ cao, dải rộng và hiệu suất tốt. Các nhà sản xuất thiết bị điện đang sử dụng những wafer này vì kích thước phù hợp cho sản xuất số lượng lớn và hiệu quả về chi phí. Hơn nữa, kích thước phù hợp của chúng cho phép các nhà sản xuất sản xuất nhiều thiết bị cùng một lúc, do đó tiết kiệm chi phí. Với tốc độ sản xuất cao hơn, chúng vẫn duy trì các đặc tính dẫn nhiệt tuyệt vời và tổn thất điện thấp. Kích thước này hoạt động tốt cho xe điện, hệ thống năng lượng xanh và nguồn điện lớn cho các nhà máy. Hơn nữa, wafer 6 inch cũng phù hợp với dây chuyền sản xuất đã được thiết lập, do đó giảm chi phí sản xuất và giúp sản xuất nhanh hơn. Khi nhu cầu về các thành phần mạnh mẽ và tiết kiệm năng lượng tiếp tục tăng, việc áp dụng rộng rãi wafer SiC 6 inch sẽ thúc đẩy đáng kể sự mở rộng của thị trường.

Danh mục thiết bị nguồn thống trị thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC).

Dựa trên ứng dụng, thị trường được phân khúc thành thiết bị nguồn, điện tử & quang điện tử, thiết bị tần số vô tuyến (RF) và các loại khác. Trong thị trường wafer silicon carbide (SiC), danh mục thiết bị nguồn chiếm ưu thế do các đặc tính đặc trưng của vật liệu SiC khiến nó rất phù hợp cho điện tử công suất hiệu suất cao. Với điện áp đánh thủng vượt trội và tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, các thiết bị nguồn SiC, chẳng hạn như MOSFET và điốt Schottky, vượt trội so với các thiết bị silicon tương đương. Hơn nữa, việc sử dụng năng lượng rẻ, kích thước hệ thống nhỏ hơn và yêu cầu làm mát thấp hơn là các tính năng bắt buộc trong các ứng dụng cao cấp như xe điện (EV), hệ thống năng lượng tái tạo, hệ thống truyền động cơ công nghiệp và lưới điện thông minh. Với hiệu quả năng lượng và điện khí hóa đang được tiến hành, các thiết bị nguồn dựa trên SiC đã mở đường cho việc thay thế các thiết bị silicon thông thường trong chuyển đổi và điều khiển năng lượng. Ngành công nghiệp ô tô đang phát triển vượt bậc, mang đến một cơ hội lớn để tăng số lượng thiết bị SiC để cải thiện hiệu quả hệ thống truyền động và do đó kéo dài phạm vi pin.

Bắc Mỹ nắm giữ thị phần thống trị thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC) vào năm 2024

Khu vực Bắc Mỹ đã chứng kiến sự tăng trưởng mạnh mẽ trên thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC) do sự hỗ trợ đáng kể từ các chính phủ thành viên. Ngoài ra, các chương trình tài trợ, tín dụng thuế và cho vay trong nước năng lực bán dẫn quan trọng, giảm sự phụ thuộc vào các nhà cung cấp nước ngoài ở Bắc Mỹ. Ngoài ra, các công ty sản xuất đang cam kết hàng tỷ đô la để xây dựng và mở rộng quy mô các nhà máy sản xuất wafer silicon carbide 200 mm mới ở khu vực Bắc Mỹ. Hơn nữa, việc phát triển năng lực sản xuất trong nước mới đang tăng cường năng lực sản xuất, cho phép các nhà sản xuất truyền thống tích hợp theo chiều dọc quá trình sản xuất wafer với lắp ráp thiết bị, củng cố chuỗi cung ứng địa phương. Ngoài ra, các trung tâm nghiên cứu như PowerAmerica và Trung tâm Tinh thể Silicon Carbide của onsemi đảm bảo sự dễ dàng chuyển giao công nghệ nhanh chóng từ phòng thí nghiệm sang nhà máy sản xuất. Nhìn chung, sự thúc đẩy phối hợp này từ khu vực công và tư nhân, bao gồm chính sách, đầu tư, tích hợp mới, đổi mới và nhu cầu thị trường cuối cùng, đang thúc đẩy Bắc Mỹ trở thành nhà lãnh đạo toàn cầu trên thị trường wafer silicon carbide.

Hoa Kỳ nắm giữ thị phần thống trị thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC) Bắc Mỹ vào năm 2024.

Sự tăng trưởng của thị trường wafer silicon carbide (SiC) ở Hoa Kỳ được thúc đẩy bởi nhu cầu về các thành phần SiC hiệu suất cao, điện áp cao, tỷ lệ sử dụng xe điện EV ngày càng tăng, triển khai năng lượng tái tạo, mở rộng trung tâm dữ liệu và triển khai cơ sở hạ tầng 5G. Ngoài ra, các nhà sản xuất hàng đầu của Hoa Kỳ đang nỗ lực đổi mới, trở nên tích hợp theo chiều dọc hơn và đáp ứng các tiêu chuẩn chất lượng cấp ô tô. Hơn nữa, một cơn bão tài trợ liên bang thông qua Đạo luật CHIPS and Science, đã hướng hàng tỷ đô la vào các nhà máy sản xuất wafer SiC lên tới 750 triệu USD cho Wolfspeed, 225 triệu USD cho Bosch, để xây dựng và mở rộng các nhà máy sản xuất wafer SiC ở Bắc Carolina, California và hơn thế nữa với mục tiêu tăng năng lực sản xuất của Hoa Kỳ. Hơn nữa, Wolfspeed sẽ tận dụng các khoản tiền này với đầu tư tư nhân để xây dựng các nhà máy sản xuất 200 mm "thay đổi cuộc chơi" ở Thượng New York và Hạt Chatham, và Bosch sẽ thay đổi hoàn toàn địa điểm Roseville của mình thành một trung tâm SiC lớn của Hoa Kỳ, cung cấp gần 40% năng lực quốc gia vào năm 2026. Do đó, quan hệ đối tác công tư đang biến ngành công nghiệp Hoa Kỳ trở thành nhà lãnh đạo thị trường toàn cầu trong sản xuất wafer silicon carbide và đảm bảo chuỗi cung ứng thế hệ tiếp theo.

Bối cảnh Cạnh tranh Wafer Silicon Carbide (SiC)

Thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC) có tính cạnh tranh cao và phân mảnh, với một số người chơi thị trường toàn cầu và quốc tế. Các công ty chủ chốt đang áp dụng các chiến lược tăng trưởng khác nhau để nâng cao sự hiện diện trên thị trường của họ, chẳng hạn như quan hệ đối tác, thỏa thuận, hợp tác, ra mắt sản phẩm mới, mở rộng địa lý, sáp nhập và mua lại.

Các Công ty Wafer Silicon Carbide (SiC) Hàng đầu

Các công ty lớn hoạt động trên thị trường là Wolfspeed, Inc., Coherent Corp., Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd, STMicroelectronics NV, Resonac Holdings Corporation, Atecom Technology Co. Ltd, SK Siltron Co. Ltd., SiCrystal GmbH, TankeBlue Co. Ltd. và Silicon Valley Microelectronics (SVM)

Tin tức Thị trường Wafer Silicon Carbide (SiC)

• Vào ngày 7 tháng 3 năm 2022, II‐VI Incorporated, một trong những công ty dẫn đầu về chất bán dẫn vùng cấm rộng, đã thông báo rằng họ sẽ đẩy nhanh đầu tư vào sản xuất wafer chất nền và epitaxi silicon carbide (SiC) 150 mm và 200 mm với việc mở rộng quy mô lớn nhà máy ở Easton, Pennsylvania và Kista, Thụy Điển. Đây là một phần trong khoản đầu tư trị giá 1 tỷ đô la mà Công ty đã công bố trước đó vào SiC trong 10 năm tới.

• Vào ngày 24 tháng 9 năm 2024, Resonac Corporation thông báo rằng họ đã ký một thỏa thuận với Soitec, một nhà sản xuất vật liệu chất nền bán dẫn tiên tiến của Pháp, để cùng phát triển chất nền liên kết silicon carbide (SiC) 200mm (8 inch), sẽ đóng vai trò là vật liệu cho wafer epitaxi SiC được sử dụng trong chất bán dẫn công suất.

• Vào ngày 23 tháng 4 năm 2024, Infineon Technologies đã hoàn tất thỏa thuận với nhà sản xuất chất bán dẫn toàn cầu SK Siltron CSS, nhằm quy định việc sản xuất wafer silicon carbide 150 mm của SK Siltron cho Infineon.

Phạm vi Báo cáo Thị trường Wafer Carbide (SiC)