极紫外(EUV)光刻市场：当前分析与预测(2024-2032)

深紫外光刻市场规模与预测

2023年，深紫外光刻市场的估值为91.372亿美元，预计在预测期内（2024-2032年）将以约12.8%的强劲复合年增长率增长，这归功于政府支持、技术进步以及对更小、高性能芯片的需求不断增长。

深紫外光刻市场分析

EUV光刻市场是半导体行业的一个二级市场细分，是生产5nm、3nm及更先进节点的芯片所必需的。EUV光刻的波长为13.5纳米，用于半导体晶圆的高分辨率图案化，是开发更小、更快、更高效芯片所必需的。这是释放人工智能、5G、物联网、自动驾驶汽车和消费电子产品创新的关键。主要受市场对高性能芯片的需求不断增长、台积电、三星和英特尔等行业巨头的巨额投资以及半导体制造技术的快速进步所驱动。全球范围内EUV光刻的采用也得益于政府的资金支持以及政府倡议建立的半导体供应链。

美国、韩国和台湾是EUV光刻市场中增长最快的国家，这得益于其强大的半导体生态系统以及对最先进制造技术的巨额投资。凭借巨额的CHIPS法案投资以及英特尔和台积电的新工厂，美国正在迅速增长。韩国的三星和SK海力士押注于扩大代工产能，以满足全球对先进芯片的需求。总部位于台湾的台积电仍然在芯片生产方面处于世界领先地位，因为它拥有最先进的能力和高产量制造能力。此外，中国正日益发挥更积极的作用，通过政府的大力投资来减少对外国半导体技术的依赖，实现技术自给自足。EUV光刻市场的未来正受到这些国家的推动，无论是在促进还是扩大创新方面。

深紫外光刻市场趋势

本节讨论了影响深紫外光刻市场各个细分市场的关键市场趋势，这些趋势由我们的研究专家团队确定。

对更小节点的需求

EUV光刻市场的关键驱动因素是对更小半导体节点的需求。随着人工智能、5G和物联网等技术的进步，我们看到了更小、更强大和更节能芯片的更多用途。为了使这些先进技术成为可能，还必须有晶体管密度更高的芯片来支持更快的处理速度和更低的功耗。为了继续推进超越5nm、3nm和2nm节点的芯片，半导体制造商必须越来越依赖EUV光刻，以实现如此低特征尺寸所必需的非常精确的图案化。这是保持EUV市场增长的原因，因为它迫切需要更小的节点。

对研发和制造的投资

半导体公司大量投资于研发和制造，EUV光刻的采用正在加速。英特尔、台积电和三星都在硅科学领域的研发上投入数十亿美元，以在竞争激烈的芯片制造世界中保持领先地位。这些投资的重点是制造效率、新芯片架构的开发和先进半导体技术的创造。因此，EUV光刻对于通过将当前光刻技术的领先优势扩展到目前可能实现的范围之外来支持下一代芯片至关重要。

高性能芯片

EUV市场的另一个主要驱动因素是对高性能芯片日益增长的需求。在汽车、消费电子、数据中心和云计算等行业，能够提供更高速度、更大存储容量和更节能性能的芯片正迅速成为需求。如果没有先进的半导体工艺，如EUV光刻，这些要求就无法满足，EUV光刻可以制造出更小、密度更高的晶体管芯片，这些晶体管运行速度更快，功耗更低。这是因为这些芯片在应用中的依赖性持续增长，对EUV技术的需求也在同时增长。

政府支持

EUV光刻的采用再次严重依赖于政府的倡议和资金支持。对于包括美国、欧洲和亚洲等地区的许多政府来说尤其如此，这些政府已开始采取行动来增加国内半导体产量并减少对外国技术的依赖。例如，美国的CHIPS法案花费资金来鼓励国内芯片制造，从而推动了EUV等先进技术的采用。同样，韩国和日本等国家也对发展其半导体产业进行了大量投资。这营造了一个EUV技术蓬勃发展和增长的环境，更重要的是，这提供了长期的市场增长。

预计亚太地区在预测期内将以显著的复合年增长率增长

亚太地区（APAC）处于深紫外（EUV）光刻市场的前沿，吸引了台积电（TSMC）、三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）等主要半导体制造商。这些公司正在引领EUV在亚太地区全球半导体生产中心生产5nm和3nm节点等先进芯片的潮流。在台湾、韩国、日本和中国等国家，政府的举措通过对国内半导体研发的大量投资、资金和研发支持，进一步增加了EUV的采用。由于5G、人工智能和汽车等行业对高性能、节能芯片的需求不断增长，以及推动创新和制造能力有助于定义全球半导体格局，亚太地区仍然是EUV光刻的关键市场。

深紫外光刻行业概览

深紫外光刻市场竞争激烈且分散，存在多家全球和国际市场参与者。主要参与者正在采取不同的增长战略来增强其市场地位，例如合作、协议、协作、新产品发布、地域扩张以及并购。市场上的一些主要参与者包括ASML Holding NV、NTT Advanced Technology Corporation、佳能公司、尼康公司、英特尔公司、台湾积体电路制造股份有限公司、三星电子有限公司、Toppan Photomasks Inc.、蔡司集团和 Ushio, Inc。

深紫外光刻市场新闻

• 2024年5月，英特尔已获得了ASML今年将生产的所有高数值孔径NA深紫外（High NA EUV）芯片制造设备的库存。根据TheElec的一份报告，总部位于荷兰的ASML每年有能力生产约五到六台high-NA EUV设备，英特尔已获得计划于2024年生产的所有五台设备。每台设备的价格约为3.7亿美元。该报告补充说，三星和SK海力士现在必须等到2025年下半年才能从ASML获得设备。

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