碳化硅 (SiC) 晶圆市场：当前分析与预测 (2025-2033)

碳化硅 (SiC) 晶圆市场规模与预测

2024年，碳化硅 (SiC) 晶圆市场估值为115666万美元，预计在预测期内（2025-2033年）将以17.03%的强劲复合年增长率增长，这归功于电动汽车 (EV) 需求的增长、电力电子技术的进步以及小型化和高性能的需求。

碳化硅 (SiC) 晶圆市场分析

由于电动汽车 (EV) 采用率的提高、可再生能源的增加和 5G 基础设施投资等因素的推动，SiC 晶圆行业的需求正在以更高的速度增长。由于其卓越的特性，如高导热性、高电压运行和低开关损耗，SiC功率器件非常适合 EV 动力总成、太阳能逆变器、基站和其他高频 RF 应用。此外，正在发生的最大发展之一是该行业从 6 英寸晶圆生产向 8 英寸晶圆生产的转型。预计这种转型在预测年份内将大幅扩大。此外，预计将降低成本、提高 5-10 个百分点的产量，并扩大利润率。此外，收购和上游合作伙伴关系促进了垂直整合，从而更好地控制材料质量、供应链可靠性、成本简单性和竞争优势。因此，电动汽车、可再生能源、电信、晶圆扩产和垂直整合是推动碳化硅晶圆市场充满活力和高速增长的一些因素。

碳化硅 (SiC) 晶圆市场趋势

本节讨论了我们的研究专家确定的影响碳化硅 (SiC) 晶圆市场各个细分市场的关键市场趋势。

关注汽车级 SiC 器件

日益重视汽车级碳化硅 (SiC) 器件是碳化硅晶圆市场的一个主要趋势，它正在有效地提高对 SiC 晶圆的需求。此外，电动汽车 (EV) 在商业市场上的采用率不断提高，增加了对电力动力总成的需求。SiC 器件提供 MOSFET 的更高电压和更低开关损耗，以及肖特基二极管的更好导热性，从而提高了在硅中的效用。此外，它转化为更长的行驶里程、更短的充电时间和更紧凑的系统设计。此外，汽车应用中的牵引逆变器、DC-DC 转换器和车载充电器将从 SiC 晶圆中受益最多。因此，这些需求为制造商创造了一个新的关注点，即满足严格的汽车行业质量标准（如 AEC-Q101）的汽车级 SiC 器件。

碳化硅 (SiC) 晶圆行业细分

本节分析了全球碳化硅 (SiC) 晶圆市场报告各细分市场的关键趋势，以及 2025-2033 年全球、区域和国家层面的预测。

6 英寸产品类别主导碳化硅 (SiC) 晶圆市场。

根据晶圆尺寸，市场分为 4 英寸、6 英寸、8 英寸和其他尺寸。6 英寸晶圆因其出色的耐热性、高热容量、高速度、宽带和良好性能而主导市场。功率器件制造商正在使用这些晶圆，因为它们的尺寸适合大批量生产和具有成本效益。此外，它们合适的尺寸使制造商可以一次生产许多器件，因此具有成本效益。凭借更高的生产率，它们仍然保持着出色的导热性和低电损耗的特性。这种尺寸非常适合电动汽车、绿色能源系统和工厂的大型电源。此外，6 英寸晶圆也与已建立的生产线非常吻合，从而降低了制造成本并加快了生产速度。随着对坚固耐用且节能的组件的需求持续增长，6 英寸 SiC 晶圆的广泛采用显着推动了市场扩张。

功率器件类别主导碳化硅 (SiC) 晶圆市场。

根据应用，市场分为功率器件、电子和光电子、射频 (RF) 器件等。在碳化硅 (SiC) 晶圆市场中，功率器件类别占主导地位，因为 SiC 材料的特性使其非常适合高性能功率电子产品。凭借卓越的击穿电压和更快的开关速度，SiC 功率器件（如 MOSFET 和肖特基二极管）的性能优于硅同类产品。此外，低廉的能源消耗、更小的系统尺寸和更低的冷却要求是高端应用（如电动汽车 (EV)、可再生能源系统、工业电机驱动器和智能电网）的必备功能。随着能源效率和电气化的发展，基于 SiC 的功率器件为在功率转换和控制中取代传统硅器件铺平了道路。汽车行业正在飞速发展，为增加 SiC 器件以提高动力总成效率并延长电池续航里程提供了强大的机会。

2024 年，北美在碳化硅 (SiC) 晶圆市场中占据主导份额

由于成员国政府的大力支持，北美地区的碳化硅 (SiC) 晶圆市场实现了快速增长。此外，赠款、税收抵免和贷款计划将关键半导体产能转移到国内，减少了对北美外国供应商的依赖。此外，制造公司承诺投入数十亿美元在北美地区建设和扩大新的 200 毫米碳化硅晶圆厂。此外，新建的国内晶圆厂产能正在提高生产能力，使传统制造商能够将晶圆制造与器件组装垂直整合，从而巩固了当地供应链。此外，PowerAmerica 和 onsemi 的碳化硅晶体中心等研究中心确保了从实验室到晶圆厂的快速技术转移的便利性。总而言之，这种来自公共和私营部门的协调推动，涵盖政策、投资、新整合、创新和终端市场需求，正在推动北美成为碳化硅晶圆市场的全球领导者。

2024 年，美国在北美碳化硅 (SiC) 晶圆市场中占据主导份额。

美国碳化硅 (SiC) 晶圆市场的增长是由对高效、高压 SiC 组件的需求、电动汽车普及率的提高、可再生能源的推广、数据中心扩张和 5G 基础设施部署所推动的。此外，领先的美国制造商正在努力创新，变得更加垂直整合，并满足汽车级质量标准。此外，通过《芯片与科学法案》获得的大量联邦资金已将数十亿美元投入到 SiC 晶圆厂，其中高达 7.5 亿美元投向 Wolfspeed，2.25 亿美元投向 Bosch，用于在北卡罗来纳州、加利福尼亚州及其他地区建设和扩建 SiC 晶圆厂，目的是提高美国的生产能力。此外，Wolfspeed 将利用这些资金进行私人投资，在新纽约州北部和查塔姆县建设 200 毫米“颠覆性”晶圆厂，而 Bosch 将完全将其 Roseville 工厂改造成美国主要的 SiC 中心，到 2026 年提供近 40% 的国家产能。因此，公私合作关系正在使美国工业成为碳化硅晶圆生产的全球市场领导者，并确保下一代供应链的安全。

碳化硅 (SiC) 晶圆竞争格局

碳化硅 (SiC) 晶圆市场竞争激烈且分散，拥有多家全球和国际市场参与者。主要参与者正在采取不同的增长战略来增强其市场影响力，例如合作伙伴关系、协议、合作、新产品发布、地域扩张以及并购。

顶级碳化硅 (SiC) 晶圆公司

市场上运营的主要参与者有 Wolfspeed, Inc.、Coherent Corp.、厦门市派威电子材料有限公司、意法半导体公司、Resonac Holdings Corporation、Atecom Technology Co. Ltd、SK Siltron Co. Ltd.、SiCrystal GmbH、TankeBlue Co. Ltd. 和 Silicon Valley Microelectronics (SVM)

碳化硅 (SiC) 晶圆市场新闻

• 2022 年 3 月 7 日，宽带隙半导体领域的领导者之一 II-VI Incorporated 宣布，它将加速对 150 毫米和 200 毫米碳化硅 (SiC) 衬底和外延晶圆制造的投资，并在宾夕法尼亚州伊斯顿和瑞典 Kista 扩建大型工厂。这是该公司此前宣布的未来 10 年在 SiC 领域投资 10 亿美元的一部分。

• 2024 年 9 月 24 日，Resonac Corporation 宣布已与法国先进半导体衬底材料制造商 Soitec 签署协议，共同开发 200 毫米（8 英寸）碳化硅 (SiC) 键合衬底，该衬底将用作功率半导体中使用的 SiC 外延晶圆的材料。

• 2024 年 4 月 23 日，英飞凌科技公司与全球半导体制造商 SK Siltron CSS 最终达成协议，旨在规定 SK Siltron 为英飞凌生产 150 毫米碳化硅晶圆。

碳化硅 (SiC) 晶圆市场报告报告范围

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