Mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC): analisi attuale e previsioni (2025-2033)

Dimensioni e previsioni del mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC)

Il mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC) è stato valutato a 1156,66 milioni di dollari nel 2024 e si prevede che crescerà a un forte CAGR del 17,03% per il periodo di previsione (2025-2033F) a causa della crescente domanda di veicoli elettrici (EV), dei progressi nell'elettronica di potenza e delle esigenze di miniaturizzazione e alte prestazioni.

Analisi del mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC)

L'industria dei wafer di SiC sta osservando un tasso di crescita più elevato nella domanda guidato da fattori quali l'aumento dell'adozione di veicoli elettrici (EV), l'aumento dell'energia rinnovabile e gli investimenti nell'infrastruttura 5G. Grazie alle sue eccezionali proprietà, come l'elevata conducibilità termica, il funzionamento ad alta tensione e le basse perdite di commutazione, i dispositivi di potenza SiC sono ideali per i propulsori EV, gli inverter solari, le stazioni base e altre applicazioni RF ad alta frequenza. Inoltre, uno dei maggiori sviluppi in corso è la transizione del settore dalla produzione di wafer da 6 pollici a quella da 8 pollici. Si prevede che questa transizione si espanderà notevolmente nel corso dell'anno previsto. Inoltre, si prevede che ciò ridurrà i costi, aumenterà i rendimenti di 5-10 punti e fornirà un'espansione dei margini. Inoltre, le acquisizioni e le partnership a monte facilitano l'integrazione verticale, consentendo un migliore controllo sulla qualità dei materiali, sull'affidabilità della catena di fornitura, sulla semplicità dei costi e sul vantaggio competitivo. Quindi, i veicoli elettrici, le energie rinnovabili, le telecomunicazioni, il ridimensionamento dei wafer e l'integrazione verticale sono alcuni dei fattori trainanti che stanno creando una crescita energetica ed elevata nel mercato dei wafer di carburo di silicio.

Tendenze del mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC)

Questa sezione analizza le principali tendenze del mercato che influenzano i vari segmenti del mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC) come identificato dai nostri esperti di ricerca.

Focus sui dispositivi SiC di livello automobilistico

La crescente enfasi sui dispositivi di carburo di silicio (SiC) di livello automobilistico è una tendenza importante nel mercato dei wafer di carburo di silicio, che sta aumentando efficacemente la domanda di wafer di SiC. Inoltre, la maggiore adozione di veicoli elettrici (EV) nel mercato commerciale ha aumentato i requisiti per i propulsori elettrici. I dispositivi SiC offrono la tensione più elevata e le minori perdite di commutazione dei MOSFET in combinazione con una migliore conduzione termica dei diodi Schottky che forniscono una maggiore utilità nel silicio. Inoltre, si traduce in una maggiore autonomia di guida, tempi di ricarica più brevi e un design del sistema più compatto. Inoltre, gli inverter di trazione, i convertitori CC-CC e i caricabatterie a bordo nelle applicazioni automobilistiche trarrebbero il massimo vantaggio dai wafer di SiC. Quindi, questi requisiti hanno creato un nuovo focus per i produttori verso i dispositivi SiC di livello automobilistico che soddisfano i rigorosi standard di qualità del settore automobilistico, come AEC-Q101.

Segmentazione del settore dei wafer di carburo di silicio (SiC)

Questa sezione fornisce un'analisi delle principali tendenze in ogni segmento del rapporto sul mercato globale dei wafer di carburo di silicio (SiC), insieme alle previsioni a livello globale, regionale e nazionale per il periodo 2025-2033.

La categoria di prodotti da 6 pollici domina il mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC).

In base alle dimensioni dei wafer, il mercato è segmentato in 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici e altri. Il wafer da 6 pollici ha dominato il mercato grazie alla sua grande resistenza al calore, all'elevata capacità termica, all'alta velocità, all'ampia banda e alle buone prestazioni. I produttori di dispositivi di potenza utilizzano questi wafer grazie alle loro dimensioni adatte per la produzione di volumi elevati e alla loro economicità. Inoltre, le loro dimensioni adatte consentono ai produttori di produrre molti dispositivi in un colpo solo, risultando quindi economici. Con un tasso di produzione più elevato, mantengono comunque le loro proprietà di eccellente conduttività termica e basse perdite elettriche. Queste dimensioni funzionano bene per le auto elettriche, i sistemi di energia verde e i grandi alimentatori per le fabbriche. Inoltre, il wafer da 6 pollici si adatta bene anche alle linee di produzione già consolidate, riducendo così i costi di produzione e velocizzando la produzione. Poiché la domanda di componenti robusti ed efficienti dal punto di vista energetico continua a crescere, l'adozione diffusa di wafer SiC da 6 pollici favorisce in modo significativo l'espansione del mercato.

La categoria dei dispositivi di potenza domina il mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC).

In base all'applicazione, il mercato è segmentato in dispositivi di potenza, elettronica e optoelettronica, dispositivi a radiofrequenza (RF) e altri. Nel mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC), la categoria dei dispositivi di potenza ha dominato grazie alle proprietà caratteristiche del materiale SiC che lo rendono altamente appropriato per l'elettronica di potenza ad alte prestazioni. Con tensioni di rottura superiori e velocità di commutazione più elevate, i dispositivi di potenza SiC, come MOSFET e diodi Schottky, superano le loro controparti in silicio. Inoltre, il basso consumo energetico, le dimensioni ridotte del sistema e i minori requisiti di raffreddamento sono caratteristiche necessarie in applicazioni di fascia alta come veicoli elettrici (EV), sistemi di energia rinnovabile, azionamenti di motori industriali e reti intelligenti. Con l'efficienza energetica e l'elettrificazione in corso, i dispositivi di potenza basati su SiC hanno aperto la strada alla sostituzione dei dispositivi in silicio convenzionali nella conversione e nel controllo della potenza. L'industria automobilistica sta crescendo a passi da gigante, offrendo una forte opportunità per aumentare i dispositivi SiC per migliorare l'efficienza del propulsore e quindi estendere l'autonomia della batteria.

Il Nord America ha detenuto una quota dominante del mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC) nel 2024

La regione del Nord America ha assistito a una crescita stimolante nel mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC) grazie al significativo supporto dei governi membri. Inoltre, i programmi di sovvenzioni, crediti d'imposta e prestiti riportano a casa la capacità critica dei semiconduttori, riducendo la dipendenza da fornitori esteri in Nord America. Inoltre, le aziende manifatturiere stanno impegnando miliardi di dollari per costruire e scalare nuove fabbriche di wafer di carburo di silicio da 200 mm nella regione del Nord America. Inoltre, lo sviluppo di una nuova capacità di fabbrica a terra sta migliorando la capacità di produzione, consentendo ai produttori tradizionali di integrare verticalmente la fabbricazione di wafer con l'assemblaggio di dispositivi, consolidando le catene di fornitura locali. Inoltre, i centri di ricerca come PowerAmerica e il Silicon Carbide Crystal Center di onsemi garantiscono la facilità di facilitazione del rapido trasferimento tecnologico dal laboratorio alla fabbrica. Collettivamente, questa spinta coordinata dai settori pubblico e privato, che abbraccia politica, investimenti, nuova integrazione, innovazione e domanda del mercato finale, sta spingendo il Nord America come leader globale nel mercato dei wafer di carburo di silicio.

Gli Stati Uniti hanno detenuto una quota dominante del mercato nordamericano dei wafer di carburo di silicio (SiC) nel 2024.

La crescita del mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC) negli Stati Uniti è guidata dalla domanda di componenti SiC ad alta efficienza e alta tensione, dall'aumento del tasso di assorbimento dei veicoli elettrici, dall'implementazione di energia rinnovabile, dall'espansione dei data center e dall'implementazione dell'infrastruttura 5G. Inoltre, i principali produttori statunitensi si stanno impegnando a fondo per innovare, diventare più integrati verticalmente e soddisfare gli standard di qualità di livello automobilistico. Inoltre, una tempesta di finanziamenti federali attraverso il CHIPS and Science Act, ha destinato miliardi a fabbriche di wafer SiC fino a 750 milioni di dollari a Wolfspeed, 225 milioni di dollari a Bosch, per costruire ed espandere fabbriche di wafer SiC in North Carolina, California e oltre, con l'obiettivo di aumentare la capacità di produzione statunitense. Inoltre, Wolfspeed sfrutterebbe questi fondi con investimenti privati per costruire fabbriche da 200 mm "rivoluzionarie" nello Stato di New York e nella contea di Chatham, e Bosch cambierebbe completamente il suo sito di Roseville in un importante hub SiC statunitense fornendo quasi il 40% della capacità nazionale entro il 2026. Quindi, le partnership pubblico-privato stanno rendendo l'industria statunitense un leader del mercato globale nella produzione di wafer di carburo di silicio e garantendo catene di fornitura di prossima generazione.

Panorama competitivo dei wafer di carburo di silicio (SiC)

Il mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC) è competitivo e frammentato, con diversi attori del mercato globale e internazionale. I principali attori stanno adottando diverse strategie di crescita per migliorare la propria presenza sul mercato, come partnership, accordi, collaborazioni, lanci di nuovi prodotti, espansioni geografiche, fusioni e acquisizioni.

Principali aziende di wafer di carburo di silicio (SiC)

I principali attori che operano nel mercato sono Wolfspeed, Inc., Coherent Corp., Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd, STMicroelectronics NV, Resonac Holdings Corporation, Atecom Technology Co. Ltd, SK Siltron Co. Ltd., SiCrystal GmbH, TankeBlue Co. Ltd. e Silicon Valley Microelectronics (SVM)

Notizie sul mercato dei wafer di carburo di silicio (SiC)

• Il 7 marzo 2022, II‐VI Incorporated, uno dei leader nei semiconduttori a banda larga, ha annunciato che avrebbe accelerato il suo investimento nella produzione di substrati e wafer epitassiali di carburo di silicio (SiC) da 150 mm e 200 mm con espansioni di fabbriche su larga scala a Easton, Pennsylvania, e Kista, Svezia. Questa è parte dell'investimento da 1 miliardo di dollari in SiC che la società ha annunciato in precedenza nei prossimi 10 anni.

• Il 24 settembre 2024, Resonac Corporation ha annunciato di aver firmato un accordo con Soitec, un produttore francese di materiali avanzati per substrati di semiconduttori, per sviluppare congiuntamente substrati legati in carburo di silicio (SiC) da 200 mm (8 pollici), che fungerebbero da materiale per wafer epitassiali SiC utilizzati nei semiconduttori di potenza.

• Il 23 aprile 2024, Infineon Technologies ha finalizzato un accordo con il produttore globale di semiconduttori SK Siltron CSS, che mirava a stipulare la produzione di wafer di carburo di silicio da 150 mm da parte di SK Siltron per Infineon.

Copertura del rapporto sul mercato dei wafer di carburo (SiC).