シリコンカーバイド (SiC) ウェハー市場：現状分析と予測 (2025年～2033年)

炭化ケイ素 (SiC) ウェハーの市場規模と予測

炭化ケイ素（SiC）ウェハーの市場規模は、2024年に11億5666万米ドルと評価され、電気自動車（EV）の需要増加、パワーエレクトロニクスの進歩、小型化と高性能のニーズにより、予測期間（2025年～2033年）に17.03%という力強い年平均成長率（CAGR）で成長すると予想されています。

炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場分析

SiCウェハー業界は、電気自動車（EV）の採用拡大、再生可能エネルギーの増加、5Gインフラ投資などの要因により、需要がより高い成長率を示しています。高い熱伝導率、高電圧動作、低いスイッチング損失などの優れた特性により、SiCパワーデバイスは、EVパワートレイン、太陽光インバーター、基地局、その他の高周波RFアプリケーションに最適です。さらに、最大の進展の1つは、業界が6インチから8インチのウェハー製造に移行していることです。この移行は、予測年を通じて劇的に拡大すると予想されます。さらに、コストの低下、収率の5～10ポイントの上昇、マージンの拡大が期待されています。さらに、買収と川上とのパートナーシップは垂直統合を促進し、材料の品質、サプライチェーンの信頼性、コストの簡素化、競争上の優位性をより良く管理できるようになります。したがって、EV、再生可能エネルギー、通信、ウェハースケーリング、および垂直統合は、炭化ケイ素ウェハー市場で活発で高成長を生み出している推進要因の一部です。

炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場の動向

このセクションでは、当社の調査専門家が特定した炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場のさまざまなセグメントに影響を与える主要な市場動向について説明します。

車載グレードのSiCデバイスに焦点を当てる

車載グレードの炭化ケイ素（SiC）デバイスに対する重視の高まりは、炭化ケイ素ウェハー市場における主要なトレンドであり、SiCウェハーの需要を効果的に高めています。さらに、商業市場における電気自動車（EV）の採用の増加により、電気パワートレインの要件が増加しています。SiCデバイスは、シリコンにおける有用性を高めるショットキーダイオードの優れた熱伝導と組み合わせて、MOSFETの高い電圧と低いスイッチング損失を実現します。さらに、これはより長い走行距離、より短い充電時間、およびよりコンパクトなシステム設計につながります。さらに、自動車アプリケーションのトラクションインバーター、DC-DCコンバーター、およびオンボード充電器は、SiCウェハーから最大の恩恵を受けるでしょう。したがって、これらの要件により、AEC-Q101などの厳格な自動車産業品質基準を満たす車載グレードのSiCデバイスに対するメーカーの新たな焦点が生まれました。

炭化ケイ素 (SiC) ウェハーの産業セグメンテーション

このセクションでは、世界の炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場レポートの各セグメントにおける主要な動向の分析と、2025年から2033年までの世界、地域、および国レベルでの予測を提供します。

6インチの製品カテゴリーが炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場を支配しています。

ウェハーサイズに基づいて、市場は4インチ、6インチ、8インチ、その他にセグメント化されています。6インチウェハーは、優れた耐熱性、高い熱容量、高速、広帯域、および優れた性能により、市場を支配しました。パワーデバイスメーカーは、大量生産と費用対効果に適したサイズであるため、これらのウェハーを使用しています。さらに、適切なサイズにより、メーカーは一度に多くのデバイスを製造できるため、費用対効果が高くなります。生産速度が向上しても、優れた熱伝導率と低い電気損失の特性は維持されます。このサイズは、電気自動車、グリーンエネルギーシステム、および工場向けの大型電源に最適です。さらに、6インチウェハーは既存の生産ラインにも適合するため、製造コストが削減され、生産が高速化されます。堅牢でエネルギー効率の高いコンポーネントの需要が増加し続けるにつれて、6インチSiCウェハーの普及は市場の拡大を大幅に推進します。

パワーデバイスのカテゴリーが炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場を支配しています。

アプリケーションに基づいて、市場はパワーデバイス、エレクトロニクス＆オプトエレクトロニクス、無線周波数（RF）デバイス、その他にセグメント化されています。炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場では、SiC材料の特性により、高性能パワーエレクトロニクスに非常に適しているため、パワーデバイスのカテゴリーが支配的でした。優れたブレークダウン電圧とより高速なスイッチング速度を備えたMOSFETやショットキーダイオードなどのSiCパワーデバイスは、シリコン製の同等品よりも優れています。さらに、電気自動車（EV）、再生可能エネルギーシステム、産業用モータードライブ、スマートグリッドなどのハイエンドアプリケーションでは、安価なエネルギー使用量、より小型のシステム寸法、およびより低い冷却要件が必須機能です。エネルギー効率と電化が進行中であるため、SiCベースのパワーデバイスは、電力変換と制御において従来のシリコンデバイスを置き換える道を開きました。自動車産業は飛躍的に成長しており、パワートレインの効率を向上させ、バッテリーの航続距離を延長するためにSiCデバイスを増やす強力な機会を提供しています。

北米は2024年に炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場の支配的なシェアを占めました

北米地域では、加盟政府からの多大な支援により、炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場が急成長を遂げています。さらに、助成金、税額控除、および融資プログラムは、重要な半導体能力を国内に集約し、北米における海外サプライヤーへの依存を軽減します。さらに、製造会社は、北米地域に新しい200mmの炭化ケイ素ウェハーファブを建設および拡張するために数十億ドルを投資しています。さらに、新しい国内ファブ容量の開発は生産能力を向上させ、従来のメーカーがウェハー製造とデバイスアセンブリを垂直統合し、ローカルサプライチェーンを強化することを可能にしています。さらに、PowerAmericaやonsemiの炭化ケイ素結晶センターなどの研究センターは、研究室からファブへの迅速な技術移転を容易にすることを保証します。政策、投資、新しい統合、イノベーション、およびエンドマーケットの需要にまたがる官民部門からのこの協調的な推進は、北米を炭化ケイ素ウェハー市場におけるグローバルリーダーとして推進しています。

米国は2024年に北米の炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場の支配的なシェアを占めました。

米国における炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場の成長は、高効率、高電圧のSiCコンポーネントの需要、EVテイクレートの上昇、再生可能エネルギーの展開、データセンターの拡張、および5Gインフラストラクチャの展開によって推進されています。さらに、米国の主要メーカーは、より垂直統合され、車載グレードの品質基準を満たすために、革新に懸命に取り組んでいます。さらに、CHIPSおよび科学法を通じて、連邦政府からの資金提供の嵐が吹き荒れ、ウルフスピードに最大7億5000万米ドル、ボッシュに2億2500万米ドルがSiCウェハーファブに充てられ、ノースカロライナ、カリフォルニア、およびそれ以外の地域にSiCウェハーファブを建設および拡張し、米国の生産能力を向上させることを目指しています。さらに、ウルフスピードはこれらの資金を民間投資と組み合わせて、ニューヨーク州北部とチャタム郡に200mmの「ゲームチェンジ」ファブを建設し、ボッシュはローズビル拠点を米国の主要なSiCハブに完全に変え、2026年までに国内生産能力の約40％を供給する予定です。したがって、官民パートナーシップは、米国の産業を炭化ケイ素ウェハー生産におけるグローバル市場リーダーにし、次世代のサプライチェーンを確保しています。

炭化ケイ素 (SiC) ウェハーの競合状況

炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場は競争が激しく、細分化されており、複数のグローバルおよび国際的な市場プレーヤーが存在します。主要なプレーヤーは、パートナーシップ、契約、コラボレーション、新製品の発売、地理的な拡大、および合併と買収など、市場でのプレゼンスを強化するためのさまざまな成長戦略を採用しています。

炭化ケイ素 (SiC) ウェハーの主要企業

市場で事業を展開している主要なプレーヤーは、Wolfspeed, Inc.、Coherent Corp.、Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd、STMicroelectronics NV、Resonac Holdings Corporation、Atecom Technology Co. Ltd、SK Siltron Co. Ltd.、SiCrystal GmbH、TankeBlue Co. Ltd.、およびSilicon Valley Microelectronics (SVM) です。

炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場のニュース

• 2022年3月7日、広帯域ギャップ半導体のリーダーの1つであるII‐VI Incorporatedは、ペンシルベニア州イーストンとスウェーデンのキスタに大規模な工場拡張を行い、150mmおよび200mmの炭化ケイ素（SiC）基板とエピタキシャルウェハーの製造への投資を加速すると発表しました。これは、同社が以前に発表した今後10年間でSiCに10億ドルを投資する計画の一部です。

• 2024年9月24日、Resonac Corporationは、パワー半導体で使用されるSiCエピタキシャルウェハーの材料となる200mm（8インチ）の炭化ケイ素（SiC）接合基板を共同で開発するために、高度な半導体基板材料のフランスのメーカーであるSoitecと契約を締結したと発表しました。

• 2024年4月23日、Infineon Technologiesは、SK SiltronがInfineon向けに150mmの炭化ケイ素ウェハーを生産することを規定することを目的とした、グローバル半導体メーカーのSK Siltron CSSとの契約を締結しました。

炭化ケイ素 (SiC) ウェハー市場レポートの対象範囲

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