
極紫外光刻市場在 2023 年的估值為 91.372 億美元,由於政府支持、技術進步以及對更小、高性能晶片的需求不斷增長,預計在預測期內(2024-2032 年)將以約 12.8% 的強勁複合年增長率增長。
EUV 光刻市場是半導體產業的一個次級市場區隔,是生產 5 奈米、3 奈米及更先進節點晶片所必需的。EUV 光刻的波長為 13.5 奈米,用於半導體晶圓的高解析度圖案化,並且是開發更小、更快、更高效晶片所必需的。這是釋放人工智慧、5G、物聯網、自動駕駛車和消費電子產品創新的關鍵。主要受市場對高性能晶片不斷增長的需求、台積電、三星和英特爾等行業巨頭的大量投資以及半導體製造技術的快速發展所驅動。全球對 EUV 光刻的採用也受益於政府資助和政府倡議建立的半導體供應鏈。
美國、南韓和台灣是 EUV 光刻市場中成長最快的國家,這是由於它們強大的半導體生態系統以及對最先進製造技術的大量投資。憑藉巨額的 CHIPS 法案投資以及英特爾和台積電的新工廠,美國正在迅速成長。南韓的三星和 SK 海力士押注擴大晶圓代工產能,以滿足全球對先進晶片的需求。總部位於台灣的台積電仍然在晶片生產方面領先全球,因為它擁有最先進的能力和大量生產能力。此外,中國正日益扮演更積極的角色,透過深入的政府投資來減少對外國半導體技術的依賴,並實現技術自給自足。EUV 光刻市場的未來受到這些國家的推動,無論是在促進和擴大創新方面。
本節討論了我們研究專家團隊確定的影響極紫外光刻市場各個區隔的主要市場趨勢。
EUV 光刻市場的主要驅動力是對更小半導體節點的需求。隨著人工智慧、5G 和物聯網等技術的發展,我們看到更小、更強大和更節能晶片的用途更多。為了使這些先進技術成為可能,還必須有更高電晶體密度的晶片來支持更快的處理速度和更低的功耗。為了繼續超越 5 奈米、3 奈米和 2 奈米節點,半導體製造商必須越來越多地依賴 EUV 光刻,以實現如此低特徵尺寸所需的非常精確的圖案化。這是為了維持 EUV 市場的增長,因為人們對更小節點的渴望。
半導體公司大規模投資於研究、開發和製造,EUV 光刻的採用正在加速。但英特爾、台積電和三星正在矽科學領域投入數十億美元的研發費用,以在晶片製造的競爭世界中保持領先地位。這些投資的重點是製造效率、新晶片架構的開發以及先進半導體技術的創造。因此,EUV 光刻對於實現下一代晶片至關重要,它將當前光刻技術的前沿推向了超出目前可能的範圍。
EUV 市場的另一個主要驅動力是對高性能晶片日益增長的需求。在汽車、消費電子產品、資料中心和雲端運算等行業中,能夠提供更高速度、更大儲存容量和更節能性能的晶片正迅速成為需求。沒有先進的半導體製程(例如 EUV 光刻)就無法滿足這些要求,EUV 光刻可以製造出更小、密度越來越高的電晶體,這些電晶體運行速度更快且功耗更低。由於這些晶片在應用中的依賴性持續增長,因此對 EUV 技術的需求也在同時增長。
再次,EUV 光刻的採用在很大程度上取決於政府的倡議和資助。對於包括來自美國、歐洲和亞洲等地區在內的許多國家的政府來說,情況尤其如此,這些政府已開始實施增加國內半導體產量並減少對外國技術依賴的舉措。例如,美國的 CHIPS 法案花錢鼓勵國內晶片製造,從而推動了 EUV 等先進技術的採用。同樣,南韓和日本等國也投入大量資金來發展其半導體產業。這營造了一種 EUV 技術蓬勃發展和成長的環境,更重要的是,這提供了長期的市場增長。

亞太地區(APAC)地區處於極紫外光(EUV)光刻市場的前沿,吸引了像台灣積體電路製造公司(TSMC)、三星電子和 SK 海力士等主要的半導體製造商。這些公司正在引領採用 EUV 技術,在亞太地區的全球半導體生產中心生產 5 奈米和 3 奈米節點等先進晶片。在台灣、南韓、日本和中國等國家,政府的舉措正在透過對國內半導體研發的大量投資、資助和研發支持,進一步增加 EUV 的採用。由於 5G、人工智慧和汽車等行業對高性能、節能晶片的需求不斷增長,以及推動創新和製造能力(有助於定義全球半導體格局),亞太地區仍然是 EUV 光刻的關鍵市場。

極紫外光刻市場競爭激烈且分散,存在多個全球和國際市場參與者。主要參與者正在採取不同的增長策略來增強其市場影響力,例如夥伴關係、協議、合作、新產品發布、地域擴張以及併購。在市場上運營的一些主要參與者包括 ASML Holding NV、NTT Advanced Technology Corporation、Canon Inc.、Nikon Corporation、Intel Corporation、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited、Samsung Electronics Co. Ltd.、Toppan Photomasks Inc.、ZEISS Group 和 Ushio, Inc.
2024 年 5 月,英特爾已獲得 ASML 今年將生產的所有高數值孔徑 NA 極紫外光(High NA EUV)晶片製造設備的庫存。根據 TheElec 的一份報告,總部位於荷蘭的 ASML 每年有能力生產約五到六台 high-NA EUV 設備,英特爾已獲得計劃於 2024 年生產的所有五台設備。每台設備的成本約為 3.7 億美元。該報告補充說,三星和 SK 海力士現在必須等到 2025 年下半年才能從 ASML 獲得設備。
該研究包括經過驗證的權威主要行業專家驗證的市場規模和預測分析。
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分析歷史市場、估計當前市場以及預測全球極紫外光微影的未來市場,是創建和探索全球主要地區採用極紫外光微影的三個主要步驟。 我們進行了詳盡的二級研究,以收集歷史市場數據並估計當前市場規模。 其次,我們考慮了許多發現和假設,以驗證這些見解。 此外,我們還與全球極紫外光微影市場價值鏈中的行業專家進行了詳盡的初步訪談。 在通過初步訪談對市場數據進行假設和驗證後,我們採用了自上而下/自下而上的方法來預測完整的市場規模。 之後,我們採用了市場分解和數據三角測量方法來估計和分析行業的細分市場和子細分市場的市場規模。 詳細的方法如下所述:
步驟 1:深入研究二級來源:
我們進行了詳細的二級研究,通過公司內部來源(例如年度報告和財務報表、績效演示文稿、新聞稿等)和外部來源(包括期刊、新聞和文章、政府出版物、競爭對手出版物、行業報告、第三方數據庫和其他可靠出版物)來獲取極紫外光微影的歷史市場規模。
步驟 2:市場細分:
在獲得極紫外光微影的歷史市場規模後,我們進行了詳細的二級分析,以收集主要地區不同細分市場和子細分市場的歷史市場見解和份額。 報告中包含的主要細分市場,例如組件和最終用戶。 此外,還進行了國家/地區層面的分析,以評估該地區測試模型的總體採用情況。
步驟 3:因素分析:
在獲得不同細分市場和子細分市場的歷史市場規模後,我們進行了詳細的因素分析,以估計極紫外光微影的當前市場規模。 此外,我們使用極紫外光微影市場的組件和最終用戶等相關和獨立變數進行了因素分析。 我們對需求和供應方面的方案進行了徹底的分析,考慮了全球極紫外光微影領域的頂級合作夥伴關係、併購、業務擴張和產品發布。
當前市場規模:基於以上 3 個步驟的可行見解,我們得出了當前市場規模、全球極紫外光微影市場的主要參與者以及各細分市場的市場份額。 所有必需的百分比份額拆分和市場細分均使用上述二級方法確定,並通過初步訪談進行驗證。
估計與預測:對於市場估計和預測,我們為不同因素(包括驅動因素和趨勢、限制以及利益相關者可用的機會)分配了權重。 在分析了這些因素後,我們應用了相關的預測技術,即自上而下/自下而上的方法,得出了 2032 年全球主要市場不同細分市場和子細分市場的市場預測。 用於估計市場規模的研究方法包括:
該行業的市場規模,就收入(美元)以及極紫外光微影在國內主要市場的採用率而言
市場細分市場和子細分市場的所有百分比份額、拆分和細分
全球極紫外光微影市場的主要參與者,就提供的產品而言。 此外,這些參與者為在快速增長的市場中競爭而採取的增長策略
初步研究:與主要地區的關鍵意見領袖 (KOL)(包括高層管理人員(CXO/VP、銷售主管、行銷主管、運營主管、區域主管、國家/地區主管等))進行了深入訪談。 然後總結初步研究結果,並進行統計分析以證明既定假設。 初步研究的輸入與二級研究結果相結合,從而將資訊轉化為可操作的見解。
我們採用了數據三角測量技術來完成整體市場估計,並得出全球極紫外光微影市場每個細分市場和子細分市場的精確統計數據。 在研究了全球極紫外光微影市場組件和最終用戶領域的各種參數和趨勢後,我們將數據拆分為幾個細分市場和子細分市場。
該研究精確指出了全球極紫外光微影市場的當前和未來市場趨勢。 投資者可以獲得戰略見解,以基於研究中執行的定性和定量分析來決定投資。 當前和未來市場趨勢決定了區域層面市場的整體吸引力,為行業參與者提供了一個利用未開發市場以從先行者優勢中受益的平台。 該研究的其他定量目標包括:
分析極紫外光微影行業當前和預測的市場規模(按價值(美元)計算)。 此外,分析不同細分市場和子細分市場的當前和預測市場規模
研究中的細分市場包括組件和最終用戶領域
定義和分析極紫外光微影行業的監管框架
分析涉及各種中介機構的價值鏈,以及分析行業的客戶和競爭對手行為
分析主要地區極紫外光微影市場的當前和預測市場規模
報告中研究的地區的主要國家/地區包括亞太地區、歐洲、北美和世界其他地區
極紫外光微影市場的公司概況以及市場參與者為在快速增長的市場中維持發展而採取的增長策略
深入分析該行業的區域層面
Q1: 極紫外光刻市場目前的市場規模和增長潛力是多少?
極紫外光刻市場在2023年的估值為9,137.2百萬美元,預計在預測期(2024-2032年)內將以約12.8%的強勁複合年增長率增長。
Q2:極紫外光刻市場增長的驅動因素是什麼?
深紫外光刻市場的成長,是由於對更小、更高效能晶片的需求不斷增加、半導體技術的進步,以及對研發和製造的大量投資所推動。
Q3:依組件劃分,極紫外光微影市場中哪個區隔佔據最大份額?
以組件劃分,光源部分在極紫外光微影市場中佔據最大的份額。
Q4:極紫外光刻市場中,有哪些新興技術與趨勢?
EUV微影市場的新興技術和趨勢包括高功率EUV光源的開發、光罩技術的改進,以及人工智慧和機器學習的整合,以實現增強的製程控制和效率。
Q5:哪個地區將在極紫外光刻市場中佔據主導地位?
預計亞太地區在預測期內將主導市場。
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