碳化矽（SiC）晶圓市場：現況分析與預測 (2025-2033)

碳化矽 (SiC) 晶圓市場規模與預測

2024 年碳化矽 (SiC) 晶圓市場的價值為 1156.66 百萬美元，由於電動車 (EV) 需求不斷增長、電力電子技術不斷進步以及小型化和高效能需求，預計在預測期內（2025-2033F）將以 17.03% 的強勁複合年增長率增長。

碳化矽 (SiC) 晶圓市場分析

在電動車 (EV) 採用率提高、再生能源增加和 5G 基礎設施投資等因素的推動下，SiC 晶圓產業的需求成長率更高。由於其出色的特性，如高導熱性、高電壓操作和低切換損耗，SiC 功率元件非常適合電動車動力總成、太陽能逆變器、基地台和其他高頻 RF 應用。此外，正在發生的一項最大的發展是該產業從 6 吋晶圓生產轉向 8 吋晶圓生產。預計這種轉變將在預測年度內大幅擴展。此外，預計將降低成本、提高 5-10 個百分點的良率，並提供利潤擴張。此外，收購和上游合作夥伴關係有助於垂直整合，從而更好地控制材料品質、供應鏈可靠性、成本簡化和競爭優勢。因此，電動車、再生能源、電信、晶圓擴展和垂直整合是碳化矽晶圓市場中創造活力和高成長的一些驅動因素。

碳化矽 (SiC) 晶圓市場趨勢

本節討論了我們的研究專家確定的影響碳化矽 (SiC) 晶圓市場各個細分市場的關鍵市場趨勢。

專注於車用級 SiC 元件

越來越重視車用級碳化矽 (SiC) 元件是碳化矽晶圓市場的主要趨勢，這有效地提高了對 SiC 晶圓的需求。此外，電動車 (EV) 在商業市場上的採用率不斷提高，提高了對電動動力總成的需求。SiC 元件提供 MOSFET 的更高電壓和更低切換損耗，以及肖特基二極體的更好導熱性，從而提高了在矽中的實用性。此外，它可以轉化為更長的行駛里程、更短的充電時間和更緊湊的系統設計。此外，汽車應用中的牽引逆變器、DC-DC 轉換器和車載充電器將從 SiC 晶圓中受益最多。因此，這些需求為製造商創造了一個新的重點，即生產符合嚴格的汽車產業品質標準（如 AEC-Q101）的車用級 SiC 元件。

碳化矽 (SiC) 晶圓產業區隔

本節分析了全球碳化矽 (SiC) 晶圓市場報告各個細分市場的關鍵趨勢，以及 2025-2033 年全球、區域和國家層級的預測。

6 吋產品類別在碳化矽 (SiC) 晶圓市場中佔據主導地位。

根據晶圓尺寸，市場分為 4 吋、6 吋、8 吋和其他。6 吋晶圓因其出色的耐熱性、高熱容量、高速、寬頻和良好效能而在市場上佔據主導地位。功率元件製造商正在使用這些晶圓，因為它們的尺寸適合大批量生產和具有成本效益。此外，它們的合適尺寸使製造商能夠一次生產許多元件，因此具有成本效益。憑藉更高的生產率，它們仍然保持著卓越的導熱性和低電氣損耗的特性。這種尺寸非常適合電動車、綠色能源系統和工廠的大型電源。此外，6 吋晶圓也非常適合已建立的生產線，從而降低了製造成本並加快了生產速度。隨著對耐用且節能的元件的需求持續增長，6 吋 SiC 晶圓的廣泛採用顯著推動了市場擴張。

功率元件類別在碳化矽 (SiC) 晶圓市場中佔據主導地位。

根據應用，市場分為功率元件、電子和光電元件、射頻 (RF) 元件和其他。在碳化矽 (SiC) 晶圓市場中，功率元件類別佔據主導地位，因為 SiC 材料的特性使其非常適合高效能功率電子產品。憑藉卓越的崩潰電壓和更快的切換速度，SiC 功率元件（如 MOSFET 和肖特基二極體）的效能優於其矽同類產品。此外，低廉的能源使用、更小的系統尺寸和更低的冷卻要求是高端應用（如電動車 (EV)、再生能源系統、工業馬達驅動器和智慧電網）中的必要功能。隨著能源效率和電氣化的快速發展，基於 SiC 的功率元件已為在功率轉換和控制中取代傳統矽元件鋪平了道路。汽車產業正在突飛猛進地發展，為增加 SiC 元件以提高動力總成效率並延長電池續航里程提供了強大的機會。

2024 年，北美在碳化矽 (SiC) 晶圓市場中佔據主導地位

由於成員國政府的大力支持，北美地區的碳化矽 (SiC) 晶圓市場出現了快速成長。此外，贈款、稅收抵免和貸款計劃將關鍵半導體產能轉移到國內，減少了對北美外國供應商的依賴。此外，製造公司正在投入數十億美元，在北美地區建造和擴大新的 200 毫米碳化矽晶圓廠。此外，新的國內晶圓廠產能的發展正在提高產能，使傳統製造商能夠將晶圓製造與元件組裝進行垂直整合，從而鞏固本地供應鏈。此外，PowerAmerica 和 onsemi 的碳化矽晶體中心等研究中心確保了從實驗室到晶圓廠的快速技術轉移的便利性。總之，公共和私營部門在政策、投資、新整合、創新和終端市場需求方面的協同推動，正在推動北美成為碳化矽晶圓市場的全球領導者。

2024 年，美國在北美碳化矽 (SiC) 晶圓市場中佔據主導地位。

美國碳化矽 (SiC) 晶圓市場的成長受到對高效能、高電壓 SiC 元件的需求、電動車採用率的提高、再生能源的推出、資料中心擴張和 5G 基礎設施部署的推動。此外，領先的美國製造商正在努力創新，以實現更高的垂直整合並滿足汽車級品質標準。此外，透過 CHIPS 和科學法案獲得的大量聯邦資金已將數十億美元用於 SiC 晶圓廠，其中高達 7.5 億美元用於 Wolfspeed，2.25 億美元用於 Bosch，用於在北卡羅來納州、加利福尼亞州及其他地區建造和擴大 SiC 晶圓廠，目的是提高美國的產能。此外，Wolfspeed 將利用這些資金與私人投資一起在紐約州北部和查塔姆縣建造 200 毫米「改變遊戲規則」的晶圓廠，而 Bosch 將完全改變其 Roseville 工廠，使其成為美國主要的 SiC 中心，到 2026 年提供近 40% 的國家產能。因此，公共和私人合作夥伴關係正在使美國產業成為碳化矽晶圓生產的全球市場領導者，並確保下一代供應鏈。

碳化矽 (SiC) 晶圓競爭格局

碳化矽 (SiC) 晶圓市場競爭激烈且分散，有多家全球和國際市場參與者。主要參與者正在採用不同的成長策略來增強其市場影響力，例如合作夥伴關係、協議、協作、新產品發布、地域擴張以及合併和收購。

頂尖的碳化矽 (SiC) 晶圓公司

在市場上營運的主要參與者包括 Wolfspeed, Inc.、Coherent Corp.、Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd、STMicroelectronics NV、Resonac Holdings Corporation、Atecom Technology Co. Ltd、SK Siltron Co. Ltd.、SiCrystal GmbH、TankeBlue Co. Ltd. 和 Silicon Valley Microelectronics (SVM)

碳化矽 (SiC) 晶圓市場新聞

• 2022 年 3 月 7 日，寬頻隙半導體領導者之一的 II‐VI Incorporated 宣布，它將加速投資 150 毫米和 200 毫米碳化矽 (SiC) 基板和磊晶晶圓製造，並在賓夕法尼亞州伊斯頓和瑞典基斯塔大規模擴建工廠。這是公司先前宣布的未來 10 年在 SiC 投資 10 億美元的一部分。

• 2024 年 9 月 24 日，Resonac Corporation 宣布已與法國先進半導體基板材料製造商 Soitec 簽署協議，共同開發 200 毫米（8 吋）碳化矽 (SiC) 接合基板，該基板將用作功率半導體中使用的 SiC 磊晶晶圓的材料。

• 2024 年 4 月 23 日，Infineon Technologies 最終與全球半導體製造商 SK Siltron CSS 達成協議，旨在規定 SK Siltron 為 Infineon 生產 150 毫米碳化矽晶圓。

碳化矽 (SiC) 晶圓市場報告涵蓋範圍

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