碳化矽 (SiC) 晶圓市場：現況分析與預測 (2025-2033)

碳化矽 (SiC) 晶圓市場規模與預測

2024 年碳化矽 (SiC) 晶圓市場的估值為 11.5666 億美元，由於電動車 (EV) 需求不斷增加、功率電子技術不斷進步，以及小型化和高性能需求，預計在預測期內 (2025-2033F) 將以 17.03% 的強勁複合年增長率增長。

碳化矽 (SiC) 晶圓市場分析

由於電動車 (EV) 的採用率提高、再生能源增加以及 5G 基礎設施投資等因素的推動，SiC 晶圓產業的需求正在以更高的速度成長。由於其卓越的特性，例如高導熱性、高電壓運作和低切換損耗，SiC 功率元件非常適合 EV 傳動系統、太陽能逆變器、基地台和其他高頻 RF 應用。此外，正在發生的最大發展之一是產業從 6 英吋晶圓生產轉向 8 英吋晶圓生產。預計這種轉變在預測年度將大幅擴大。此外，預計將降低成本、提高 5-10 個百分點的良率，並擴大利潤空間。此外，收購和上游合作夥伴關係有助於垂直整合，從而更好地控制材料品質、供應鏈可靠性、簡化成本和競爭優勢。因此，電動車、再生能源、電信、晶圓擴展和垂直整合是碳化矽晶圓市場中創造活力和高成長的一些驅動因素。

碳化矽 (SiC) 晶圓市場趨勢

本節討論影響碳化矽 (SiC) 晶圓市場各個細分市場的關鍵市場趨勢，這些趨勢由我們的研究專家確定。

專注於車用級 SiC 元件

越來越重視車用級碳化矽 (SiC) 元件是碳化矽晶圓市場的一個主要趨勢，它有效地提高了對 SiC 晶圓的需求。此外，電動車 (EV) 在商業市場上的採用率提高，也增加了對電動傳動系統的要求。SiC 元件提供更高的電壓和更低的 MOSFET 切換損耗，以及肖特基二極體的更好散熱，從而提高了矽的利用率。此外，它還轉化為更長的行駛里程、更短的充電時間和更緊湊的系統設計。此外，汽車應用中的牽引逆變器、DC-DC 轉換器和車載充電器將從 SiC 晶圓中受益最多。因此，這些要求為製造商創造了一個新的重點，即生產符合嚴格汽車產業品質標準（例如 AEC-Q101）的車用級 SiC 元件。

碳化矽 (SiC) 晶圓產業區隔

本節分析了全球碳化矽 (SiC) 晶圓市場報告各個細分市場的關鍵趨勢，以及 2025-2033 年全球、區域和國家層級的預測。

6 英吋產品類別主導碳化矽 (SiC) 晶圓市場。

依晶圓尺寸劃分，市場分為 4 英吋、6 英吋、8 英吋和其他尺寸。6 英吋晶圓因其優異的耐熱性、高熱容量、高速、寬頻和良好性能而主導市場。功率元件製造商正在使用這些晶圓，因為它們的尺寸適合大批量生產且具有成本效益。此外，它們的合適尺寸使製造商能夠一次生產許多元件，因此具有成本效益。在更高的生產率下，它們仍然保持著出色的導熱性和低電氣損耗的特性。這種尺寸非常適合電動汽車、綠色能源系統和工廠的大型電源。此外，6 英吋晶圓也與已建立的生產線非常吻合，從而降低了製造成本並加快了生產速度。隨著對堅固耐用且節能元件的需求持續增長，6 英吋 SiC 晶圓的廣泛採用顯著推動了市場擴張。

功率元件類別主導碳化矽 (SiC) 晶圓市場。

依應用劃分，市場分為功率元件、電子與光電、射頻 (RF) 元件和其他。在碳化矽 (SiC) 晶圓市場中，功率元件類別佔據主導地位，因為 SiC 材料的特性使其非常適合高性能功率電子產品。憑藉卓越的崩潰電壓和更快的切換速度，SiC 功率元件（如 MOSFET 和蕭特基二極體）的性能優於矽同類產品。此外，低廉的能源使用、更小的系統尺寸和更低的冷卻要求是高端應用（如電動車 (EV)、再生能源系統、工業馬達驅動器和智慧電網）的必要功能。隨著能源效率和電氣化的快速發展，基於 SiC 的功率元件為取代電源轉換和控制中的傳統矽元件鋪平了道路。汽車產業正在突飛猛進地發展，為增加 SiC 元件以提高動力總成效率並從而延長電池續航里程提供了強大的機會。

2024 年，北美在碳化矽 (SiC) 晶圓市場中佔據主導地位

由於成員國政府的大力支持，北美地區的碳化矽 (SiC) 晶圓市場呈現出快速成長的趨勢。此外，贈款、稅收抵免和貸款計畫將關鍵半導體產能轉移到國內，從而減少了對北美外國供應商的依賴。此外，製造公司正在投入數十億美元，在北美地區建設和擴大新的 200 公釐碳化矽晶圓廠。此外，新的國內晶圓廠產能的發展正在提高生產能力，使傳統製造商能夠將晶圓製造與元件組裝進行垂直整合，從而鞏固當地供應鏈。此外，PowerAmerica 和 onsemi 的碳化矽晶體中心等研究中心確保了從實驗室到晶圓廠的快速技術轉移的便利性。總體而言，這種來自公共和私人部門的協調推動，涵蓋政策、投資、新整合、創新和終端市場需求，正在推動北美成為碳化矽晶圓市場的全球領導者。

2024 年，美國在北美碳化矽 (SiC) 晶圓市場中佔據主導地位。

美國碳化矽 (SiC) 晶圓市場的成長受到對高效能、高電壓 SiC 元件的需求、EV 採用率的提高、再生能源的推出、資料中心的擴張和 5G 基礎設施的部署的推動。此外，美國領先的製造商正在努力創新、實現更高的垂直整合並滿足汽車級品質標準。此外，透過 CHIPS 和科學法案提供的大量聯邦資金，已將數十億美元用於 SiC 晶圓廠，其中沃爾夫斯皮德 (Wolfspeed) 獲得高達 7.5 億美元的資金，博世 (Bosch) 獲得 2.25 億美元的資金，用於在北卡羅來納州、加利福尼亞州及其他地區建設和擴大 SiC 晶圓廠，旨在提高美國的生產能力。此外，沃爾夫斯皮德將利用這些資金進行私人投資，在紐約州北部和查塔姆縣建設 200 公釐「改變遊戲規則」的晶圓廠，而博世將完全改變其羅斯維爾工廠，使其成為美國主要的 SiC 中心，到 2026 年提供近 40% 的國家產能。因此，公私合作夥伴關係正在使美國產業成為碳化矽晶圓生產的全球市場領導者，並確保下一代供應鏈的安全。

碳化矽 (SiC) 晶圓競爭格局

碳化矽 (SiC) 晶圓市場競爭激烈且分散，有數家全球和國際市場參與者。主要參與者正在採取不同的成長策略來提高其市場佔有率，例如合作夥伴關係、協議、協作、新產品發布、地域擴張以及合併和收購。

頂級碳化矽 (SiC) 晶圓公司

在市場上運營的主要參與者有 Wolfspeed, Inc.、Coherent Corp.、廈門博維先進材料有限公司、意法半導體 NV、Resonac Holdings Corporation、Atecom Technology Co. Ltd、SK Siltron Co. Ltd.、SiCrystal GmbH、TankeBlue Co. Ltd. 和 Silicon Valley Microelectronics (SVM)

碳化矽 (SiC) 晶圓市場新聞

• 2022 年 3 月 7 日，寬能隙半導體的領導者之一 II-VI Incorporated 宣佈，它將加速對 150 公釐和 200 公釐碳化矽 (SiC) 基板和外延晶圓製造的投資，並在賓夕法尼亞州伊斯頓和瑞典基斯塔大規模擴建工廠。這是公司先前宣佈的未來 10 年對 SiC 投資 10 億美元的一部分。

• 2024 年 9 月 24 日，Resonac Corporation 宣佈已與法國先進半導體基板材料製造商 Soitec 簽署協議，共同開發 200 公釐（8 英吋）碳化矽 (SiC) 鍵合基板，該基板將作為功率半導體中使用的 SiC 外延晶圓的材料。

• 2024 年 4 月 23 日，英飛凌科技與全球半導體製造商 SK Siltron CSS 達成協議，旨在規定 SK Siltron 為英飛凌生產 150 公釐碳化矽晶圓。

碳化物 (SiC) 晶圓市場報告報告涵蓋範圍

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客製化選項：

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