Siliziumkarbid (SiC) Wafer Markt: Aktuelle Analyse und Prognose (2025-2033)

Silicon Carbide (SiC) Wafer Market Size & Forecast

Der Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt wurde im Jahr 2024 auf 1156,66 Millionen USD geschätzt und wird voraussichtlich mit einer starken CAGR von 17,03 % für den Prognosezeitraum (2025-2033F) wachsen, aufgrund der steigenden Nachfrage nach Elektrofahrzeugen (EVs), Fortschritten in der Leistungselektronik sowie Miniaturisierung und hohen Leistungsanforderungen.

Silicon Carbide (SiC) Wafer Market Analysis

Die SiC-Wafer-Industrie verzeichnet ein höheres Wachstum der Nachfrage, angetrieben durch Faktoren wie die vermehrte Einführung von Elektrofahrzeugen (EVs), höhere erneuerbare Energien und Investitionen in die 5G-Infrastruktur. Aufgrund seiner herausragenden Eigenschaften wie hohe Wärmeleitfähigkeit, Hochspannungsbetrieb und geringe Schaltverluste sind SiC-Leistungsbauelemente ideal für EV-Antriebsstränge, Solarwechselrichter, Basisstationen und andere Hochfrequenz-HF-Anwendungen geeignet. Darüber hinaus ist eine der größten Entwicklungen der Übergang der Industrie von der 6-Zoll- zur 8-Zoll-Waferproduktion. Es wird erwartet, dass diese Umstellung im prognostizierten Jahr deutlich zunehmen wird. Darüber hinaus wird erwartet, dass sie die Kosten senkt, die Erträge um 5–10 Punkte erhöht und die Margen ausweitet. Darüber hinaus erleichtern Akquisitionen und vorgelagerte Partnerschaften die vertikale Integration und ermöglichen eine bessere Kontrolle über die Materialqualität, die Zuverlässigkeit der Lieferkette, die Vereinfachung der Kosten und den Wettbewerbsvorteil. Daher sind EVs, erneuerbare Energien, Telekommunikation, Wafer-Skalierung und vertikale Integration einige der treibenden Faktoren, die ein energiegeladenes und wachstumsstarkes Wachstum auf dem Siliziumkarbid-Wafer-Markt erzeugen.

Silicon Carbide (SiC) Wafer Market Trends

Dieser Abschnitt erörtert die wichtigsten Markttrends, die die verschiedenen Segmente des Silicon Carbide (SiC) Wafer-Marktes beeinflussen, wie sie von unseren Forschungsexperten identifiziert wurden.

Fokus auf SiC-Bauelemente in Automobilqualität

Die zunehmende Betonung von Siliziumkarbid (SiC)-Bauelementen in Automobilqualität ist ein wichtiger Trend auf dem Siliziumkarbid-Wafer-Markt, der die Nachfrage nach SiC-Wafern effektiv ankurbelt. Darüber hinaus hat die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen (EVs) auf dem kommerziellen Markt die Anforderungen an elektrische Antriebsstränge erhöht. SiC-Bauelemente bieten die höhere Spannung und die geringeren Schaltverluste von MOSFETs in Verbindung mit der besseren Wärmeleitung von Schottky-Dioden, was zu einer höheren Funktionalität in Silizium führt. Darüber hinaus führt dies zu einer höheren Reichweite, kürzeren Ladezeiten und einem kompakteren Systemdesign. Darüber hinaus würden Traktionswechselrichter, DC-DC-Wandler und Onboard-Ladegeräte in Automobilanwendungen am meisten von den SiC-Wafern profitieren. Daher haben diese Anforderungen einen neuen Fokus für die Hersteller auf SiC-Bauelemente in Automobilqualität geschaffen, die die strengen Qualitätsstandards der Automobilindustrie erfüllen, wie z. B. AEC-Q101.

Silicon Carbide (SiC) Wafer Industry Segmentation

Dieser Abschnitt bietet eine Analyse der wichtigsten Trends in jedem Segment des globalen Silicon Carbide (SiC) Wafer-Marktberichts sowie Prognosen auf globaler, regionaler und Länderebene für 2025-2033.

Die Produktkategorie 6-Zoll dominiert den Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt.

Basierend auf der Wafergröße ist der Markt in 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll und andere unterteilt. Der 6-Zoll-Wafer dominierte den Markt aufgrund seiner hohen Hitzebeständigkeit, hohen Wärmekapazität, hohen Geschwindigkeit, Breitbandigkeit und guten Leistung. Hersteller von Leistungsbauelementen verwenden diese Wafer aufgrund ihrer geeigneten Größe für die Serienproduktion und Kosteneffizienz. Darüber hinaus ermöglicht ihre geeignete Größe den Herstellern, viele Geräte auf einmal herzustellen, wodurch sie kosteneffizient sind. Bei einer höheren Produktionsrate behalten sie dennoch ihre Eigenschaften einer ausgezeichneten Wärmeleitfähigkeit und geringen elektrischen Verluste bei. Diese Größe eignet sich gut für Elektroautos, grüne Energiesysteme und große Stromversorgungen für Fabriken. Darüber hinaus passt der 6-Zoll-Wafer gut zu den bereits etablierten Produktionslinien, wodurch die Herstellungskosten gesenkt und die Produktion beschleunigt wird. Da die Nachfrage nach robusten und energieeffizienten Komponenten weiter wächst, treibt die weit verbreitete Einführung von 6-Zoll-SiC-Wafern die Marktexpansion erheblich voran.

Die Kategorie Leistungsbauelemente dominiert den Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt.

Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Leistungsbauelemente, Elektronik & Optoelektronik, Hochfrequenz- (RF-) Bauelemente und andere unterteilt. Auf dem Siliziumkarbid (SiC)-Wafermarkt dominierte die Kategorie Leistungsbauelemente aufgrund der charakteristischen Eigenschaften des SiC-Materials, die es für Hochleistungsleistungselektronik sehr geeignet machen. Mit überlegenen Durchbruchspannungen und schnelleren Schaltgeschwindigkeiten übertreffen die SiC-Leistungsbauelemente wie MOSFET und Schottky-Diode ihre Silizium-Pendants. Darüber hinaus sind ein günstiger Energieverbrauch, kleinere Systemabmessungen und geringere Kühlanforderungen erforderliche Merkmale in High-End-Anwendungen wie Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen, industriellen Motorantrieben und intelligenten Stromnetzen. Mit Energieeffizienz und Elektrifizierung auf dem Vormarsch haben SiC-basierte Leistungsbauelemente den Weg für den Ersatz herkömmlicher Siliziumbauelemente in der Leistungsumwandlung und -steuerung geebnet. Die Automobilindustrie wächst sprunghaft an und bietet eine große Chance, SiC-Bauelemente zur Verbesserung der Antriebsstrangeffizienz und damit zur Verlängerung der Batteriereichweite einzusetzen.

Nordamerika hielt im Jahr 2024 einen dominierenden Anteil am Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt

Die Region Nordamerika verzeichnete ein sprunghaftes Wachstum auf dem Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt, das auf die bedeutende Unterstützung durch die Regierungen der Mitgliedsstaaten zurückzuführen ist. Darüber hinaus sorgen Zuschüsse, Steuergutschriften und Kreditprogramme für die Onshore-Verlagerung kritischer Halbleiterkapazitäten und reduzieren die Abhängigkeit von ausländischen Zulieferern in Nordamerika. Darüber hinaus investieren die Produktionsunternehmen Milliarden von Dollar in den Bau und die Skalierung neuer 200-mm-Siliziumkarbid-Waferfabriken in der Region Nordamerika. Darüber hinaus verbessert der Aufbau neuer Onshore-Fabrikkapazitäten die Produktionskapazität und ermöglicht es den traditionellen Herstellern, die Waferfertigung mit der Gerätebestückung vertikal zu integrieren und so die lokalen Lieferketten zu festigen. Darüber hinaus gewährleisten Forschungszentren wie PowerAmerica und onsemi’s Silicon Carbide Crystal Center die einfache Erleichterung des schnellen Technologietransfers vom Labor in die Fabrik. Zusammengenommen treibt dieser koordinierte Vorstoß des öffentlichen und privaten Sektors, der sich über Politik, Investitionen, neue Integration, Innovation und Endmarktnachfrage erstreckt, Nordamerika als globalen Marktführer auf dem Siliziumkarbid-Wafermarkt voran.

Die USA hielten im Jahr 2024 einen dominierenden Anteil am nordamerikanischen Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt.

Das Wachstum des Siliziumkarbid(SiC)-Wafermarktes in den USA wird durch die Nachfrage nach hocheffizienten SiC-Hochspannungskomponenten, steigende EV-Akzeptanzraten, die Einführung erneuerbarer Energien, den Ausbau von Rechenzentren und den Ausbau der 5G-Infrastruktur angetrieben. Darüber hinaus sind die führenden US-amerikanischen Hersteller bestrebt, Innovationen zu entwickeln, sich vertikal stärker zu integrieren und die Qualitätsstandards der Automobilindustrie zu erfüllen. Darüber hinaus hat ein Sturm von Bundesmitteln durch den CHIPS and Science Act Milliarden an SiC-Waferfabriken gelenkt, bis zu 750 Millionen USD an Wolfspeed und 225 Millionen USD an Bosch, um SiC-Waferfabriken in North Carolina, Kalifornien und darüber hinaus zu bauen und zu erweitern, mit dem Ziel, die US-amerikanische Produktionskapazität zu erhöhen. Darüber hinaus würde Wolfspeed diese Mittel mit privaten Investitionen nutzen, um 200-mm-Fabriken zu bauen, die "bahnbrechend" sind, im Upstate New York und Chatham County, und Bosch würde seinen Standort in Roseville komplett in ein wichtiges US-amerikanisches SiC-Zentrum umwandeln, das bis 2026 fast 40 % der nationalen Kapazität liefert. Daher machen öffentlich-private Partnerschaften die US-amerikanische Industrie zu einem globalen Marktführer in der Siliziumkarbid-Waferproduktion und sichern Lieferketten der nächsten Generation.

Silicon Carbide (SiC) Wafer Competitive Landscape

Der Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt ist wettbewerbsintensiv und fragmentiert, mit mehreren globalen und internationalen Marktteilnehmern. Die wichtigsten Akteure verfolgen unterschiedliche Wachstumsstrategien, um ihre Marktpräsenz zu verbessern, wie z. B. Partnerschaften, Vereinbarungen, Kooperationen, neue Produkteinführungen, geografische Expansionen sowie Fusionen und Übernahmen.

Top Silicon Carbide (SiC) Wafer Companies

Die wichtigsten auf dem Markt tätigen Akteure sind Wolfspeed, Inc., Coherent Corp., Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd, STMicroelectronics NV, Resonac Holdings Corporation, Atecom Technology Co. Ltd, SK Siltron Co. Ltd., SiCrystal GmbH, TankeBlue Co. Ltd. und Silicon Valley Microelectronics (SVM)

Silicon Carbide (SiC) Wafer Market News

• Am 7. März 2022 gab II‐VI Incorporated, einer der führenden Anbieter von Halbleitern mit großer Bandlücke, bekannt, dass das Unternehmen seine Investitionen in die Herstellung von 150-mm- und 200-mm-Siliziumkarbid(SiC)-Substrat- und Epitaxie-Wafern mit großen Fabrikerweiterungen in Easton, Pennsylvania, und Kista, Schweden, beschleunigen wird. Dies ist Teil der zuvor angekündigten Investition des Unternehmens in SiC in Höhe von 1 Milliarde US-Dollar über die nächsten 10 Jahre.

• Am 24. September 2024 gab die Resonac Corporation bekannt, dass sie eine Vereinbarung mit Soitec, einem französischen Hersteller von fortschrittlichen Halbleitersubstratmaterialien, unterzeichnet hat, um gemeinsam 200-mm-(8-Zoll)-Siliziumkarbid-(SiC)-Verbundsubstrate zu entwickeln, die als Material für SiC-Epitaxiewafer dienen sollen, die in Leistungshalbleitern verwendet werden.

• Am 23. April 2024 schloss Infineon Technologies eine Vereinbarung mit dem globalen Halbleiterhersteller SK Siltron CSS ab, die die Produktion von 150-mm-Siliziumkarbidwafern durch SK Siltron für Infineon vorsah.

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