Siliziumkarbid (SiC) Wafer Markt: Aktuelle Analyse und Prognose (2025-2033)

Silicon Carbide (SiC) Wafer Marktgröße & Prognose

Der Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt wurde im Jahr 2024 auf 1156,66 Millionen USD geschätzt und wird voraussichtlich mit einer starken CAGR von 17,03 % für den Prognosezeitraum (2025-2033F) wachsen, was auf die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen (EVs), Fortschritte in der Leistungselektronik sowie Miniaturisierung und hohen Leistungsbedarf zurückzuführen ist.

Silicon Carbide (SiC) Wafer Marktanalyse

Die SiC-Wafer-Industrie verzeichnet eine höhere Wachstumsrate bei der Nachfrage, die durch Faktoren wie die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen (EVs), höhere erneuerbare Energien und Investitionen in die 5G-Infrastruktur angetrieben wird. Aufgrund ihrer hervorragenden Eigenschaften wie hohe Wärmeleitfähigkeit, Hochspannungsbetrieb und geringe Schaltverluste sind SiC-Leistungsbauelemente ideal für EV-Antriebsstränge, Solarwechselrichter, Basisstationen und andere Hochfrequenz-HF-Anwendungen geeignet. Darüber hinaus ist eine der größten Entwicklungen der Übergang der Industrie von der 6-Zoll- zur 8-Zoll-Waferproduktion. Dieser Übergang wird sich im prognostizierten Jahr voraussichtlich dramatisch ausweiten. Darüber hinaus wird erwartet, dass er die Kosten senkt, die Ausbeute um 5–10 Punkte erhöht und die Margen ausweitet. Darüber hinaus erleichtern Akquisitionen und vorgelagerte Partnerschaften die vertikale Integration und ermöglichen eine bessere Kontrolle über die Materialqualität, die Zuverlässigkeit der Lieferkette, die Vereinfachung der Kosten und Wettbewerbsvorteile. Daher sind EVs, erneuerbare Energien, Telekommunikation, Wafer-Skalierung und vertikale Integration einige der treibenden Faktoren, die ein energiegeladenes und hohes Wachstum auf dem Siliziumkarbid-Wafermarkt schaffen.

Silicon Carbide (SiC) Wafer Markttrends

In diesem Abschnitt werden die wichtigsten Markttrends erörtert, die die verschiedenen Segmente des Silicon Carbide (SiC) Wafer-Marktes beeinflussen, wie sie von unseren Forschungsexperten identifiziert wurden.

Fokus auf SiC-Bauelemente in Automobilqualität

Die zunehmende Betonung von Siliziumkarbid (SiC)-Bauelementen in Automobilqualität ist ein wichtiger Trend auf dem Siliziumkarbid-Wafermarkt, der die Nachfrage nach SiC-Wafern effektiv ankurbelt. Darüber hinaus hat die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen (EVs) auf dem kommerziellen Markt die Anforderungen an elektrische Antriebsstränge erhöht. SiC-Bauelemente bieten die höhere Spannung und die geringeren Schaltverluste von MOSFETs in Verbindung mit einer besseren Wärmeleitung von Schottky-Dioden, was zu einer höheren Brauchbarkeit in Silizium führt. Darüber hinaus führt dies zu einer größeren Reichweite, kürzeren Ladezeiten und einem kompakteren Systemdesign. Darüber hinaus würden Traktionswechselrichter, DC-DC-Wandler und Onboard-Ladegeräte in Automobilanwendungen am meisten von den SiC-Wafern profitieren. Daher haben diese Anforderungen einen neuen Fokus für Hersteller auf SiC-Bauelemente in Automobilqualität geschaffen, die die strengen Qualitätsstandards der Automobilindustrie erfüllen, wie z. B. AEC-Q101.

Silicon Carbide (SiC) Wafer Industrie Segmentierung

Dieser Abschnitt bietet eine Analyse der wichtigsten Trends in jedem Segment des globalen Silicon Carbide (SiC) Wafer-Marktberichts sowie Prognosen auf globaler, regionaler und Länderebene für 2025-2033.

Die Produktkategorie 6-Zoll dominiert den Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt.

Basierend auf der Wafergröße ist der Markt in 4-Zoll, 6-Zoll, 8-Zoll und andere unterteilt. Der 6-Zoll-Wafer dominierte den Markt aufgrund seiner hohen Hitzebeständigkeit, hohen Wärmekapazität, hohen Geschwindigkeit, des Breitbandes und der guten Leistung. Hersteller von Leistungsbauelementen verwenden diese Wafer aufgrund ihrer geeigneten Größe für die Massenproduktion und Kosteneffizienz. Darüber hinaus ermöglicht ihre geeignete Größe den Herstellern, viele Geräte auf einmal herzustellen, wodurch sie kostengünstig sind. Trotz einer höheren Produktionsrate behalten sie immer noch ihre Eigenschaften einer ausgezeichneten Wärmeleitfähigkeit und geringen elektrischen Verluste bei. Diese Größe eignet sich gut für Elektroautos, grüne Energiesysteme und große Stromversorgungen für Fabriken. Darüber hinaus passt der 6-Zoll-Wafer gut zu den bereits etablierten Produktionslinien, wodurch die Herstellungskosten gesenkt und die Produktion beschleunigt wird. Da die Nachfrage nach robusten und energieeffizienten Komponenten weiter wächst, treibt die breite Akzeptanz von 6-Zoll-SiC-Wafern die Marktexpansion erheblich voran.

Die Kategorie Leistungsbauelemente dominiert den Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt.

Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Leistungsbauelemente, Elektronik & Optoelektronik, Hochfrequenz- (HF-) Bauelemente und andere unterteilt. Auf dem Siliziumkarbid- (SiC-) Wafermarkt dominierte die Kategorie der Leistungsbauelemente aufgrund ihrer charakteristischen Eigenschaften von SiC-Material, die es für Hochleistungsleistungselektronik sehr geeignet machen. Mit überlegenen Durchbruchspannungen und schnelleren Schaltgeschwindigkeiten übertreffen die SiC-Leistungsbauelemente wie MOSFET und Schottky-Diode ihre Silizium-Pendants. Darüber hinaus sind niedriger Energieverbrauch, geringere Systemabmessungen und geringere Kühlanforderungen in High-End-Anwendungen wie Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen, Industriemotorantrieben und intelligenten Netzen erforderlich. Mit Energieeffizienz und Elektrifizierung auf dem Vormarsch haben SiC-basierte Leistungsbauelemente den Weg für den Ersatz herkömmlicher Siliziumbauelemente in der Leistungsumwandlung und -steuerung geebnet. Die Automobilindustrie wächst sprunghaft an und bietet eine große Chance, SiC-Bauelemente zur Verbesserung der Antriebsstrangeffizienz und damit zur Verlängerung der Batteriereichweite zu verbessern.

Nordamerika hielt im Jahr 2024 einen dominanten Anteil am Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt

Die Region Nordamerika erlebte aufgrund der erheblichen Unterstützung durch die Mitgliedsregierungen ein sprunghaftes Wachstum auf dem Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt. Darüber hinaus verlagern Zuschüsse, Steuergutschriften und Kreditprogramme kritische Halbleiterkapazitäten ins Inland und reduzieren die Abhängigkeit von ausländischen Lieferanten in Nordamerika. Darüber hinaus investieren Fertigungsunternehmen Milliarden von Dollar in den Bau und die Skalierung neuer 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer-Fabs in der Region Nordamerika. Darüber hinaus verbessert die Entwicklung neuer Onshore-Fab-Kapazitäten die Produktionskapazität und ermöglicht es den traditionellen Herstellern, die Waferfertigung mit der Gerätebestückung vertikal zu integrieren, wodurch die lokalen Lieferketten gefestigt werden. Darüber hinaus stellen Forschungszentren wie PowerAmerica und das Silicon Carbide Crystal Center von onsemi die einfache Vermittlung eines schnellen Technologietransfers vom Labor zur Fab sicher. Zusammengenommen treibt dieser koordinierte Vorstoß des öffentlichen und privaten Sektors, der sich über Politik, Investitionen, neue Integration, Innovation und Endmarktnachfrage erstreckt, Nordamerika als weltweit führendes Unternehmen auf dem Siliziumkarbid-Wafermarkt voran.

Die USA hielten im Jahr 2024 einen dominanten Anteil am nordamerikanischen Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt.

Das Wachstum des Siliziumkarbid- (SiC-) Wafermarktes in den USA wird durch die Nachfrage nach hocheffizienten SiC-Komponenten mit hoher Spannung, die steigende EV-Akzeptanzrate, die Einführung erneuerbarer Energien, den Ausbau von Rechenzentren und den Einsatz der 5G-Infrastruktur angetrieben. Darüber hinaus sind führende US-amerikanische Hersteller bestrebt, Innovationen voranzutreiben, sich stärker vertikal zu integrieren und die Qualitätsstandards der Automobilindustrie zu erfüllen. Darüber hinaus hat ein Sturm von Bundesmitteln durch den CHIPS and Science Act Milliarden an SiC-Wafer-Fabs geleitet, bis zu 750 Millionen USD an Wolfspeed, 225 Millionen USD an Bosch, um SiC-Wafer-Fabs in North Carolina, Kalifornien und darüber hinaus zu bauen und zu erweitern, mit dem Ziel, die US-amerikanische Produktionskapazität zu erhöhen. Darüber hinaus würde Wolfspeed diese Mittel mit privaten Investitionen nutzen, um "bahnbrechende" 200-mm-Fabs im Upstate New York und Chatham County zu bauen, und Bosch würde seinen Standort Roseville vollständig in ein wichtiges US-amerikanisches SiC-Zentrum verwandeln, das bis 2026 fast 40 % der nationalen Kapazität liefert. Daher machen öffentlich-private Partnerschaften die US-amerikanische Industrie zu einem weltweit führenden Unternehmen auf dem Siliziumkarbid-Wafermarkt und sichern Lieferketten der nächsten Generation.

Silicon Carbide (SiC) Wafer Wettbewerbslandschaft

Der Silicon Carbide (SiC) Wafer Markt ist wettbewerbsintensiv und fragmentiert, mit mehreren globalen und internationalen Marktteilnehmern. Die wichtigsten Akteure verfolgen verschiedene Wachstumsstrategien, um ihre Marktpräsenz zu verbessern, wie z. B. Partnerschaften, Vereinbarungen, Kooperationen, neue Produkteinführungen, geografische Expansionen sowie Fusionen und Übernahmen.

Top-Silicon Carbide (SiC) Wafer Unternehmen

Die wichtigsten Akteure auf dem Markt sind Wolfspeed, Inc., Coherent Corp., Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd, STMicroelectronics NV, Resonac Holdings Corporation, Atecom Technology Co. Ltd, SK Siltron Co. Ltd., SiCrystal GmbH, TankeBlue Co. Ltd. und Silicon Valley Microelectronics (SVM)

Silicon Carbide (SiC) Wafer Marktnachrichten

• Am 7. März 2022 gab II‐VI Incorporated, einer der führenden Anbieter von Wide-Bandgap-Halbleitern, bekannt, dass es seine Investitionen in die Herstellung von 150-mm- und 200-mm-Siliziumkarbid- (SiC-) Substraten und Epitaxie-Wafern mit großen Fabrikerweiterungen in Easton, Pennsylvania, und Kista, Schweden, beschleunigen wird. Dies ist Teil der zuvor angekündigten Investition des Unternehmens in SiC in Höhe von 1 Milliarde US-Dollar über die nächsten 10 Jahre.

• Am 24. September 2024 gab die Resonac Corporation bekannt, dass sie eine Vereinbarung mit Soitec, einem französischen Hersteller von fortschrittlichen Halbleitersubstratmaterialien, unterzeichnet hat, um gemeinsam 200-mm- (8-Zoll-) Siliziumkarbid- (SiC-) Bondsubstrate zu entwickeln, die als Material für SiC-Epitaxie-Wafer dienen würden, die in Leistungshalbleitern verwendet werden.

• Am 23. April 2024 schloss Infineon Technologies eine Vereinbarung mit dem globalen Halbleiterhersteller SK Siltron CSS ab, die die Produktion von 150-mm-Siliziumkarbid-Wafern durch SK Siltron für Infineon vorsah.

Carbide (SiC) Wafer Marktbericht Berichtsabdeckung