Mercado de obleas de carburo de silicio (SiC): Análisis actual y previsión (2025-2033)

Tamaño y previsión del mercado de obleas de carburo de silicio (SiC)

El mercado de obleas de carburo de silicio (SiC) se valoró en 1156,66 millones de dólares en 2024 y se espera que crezca a una fuerte CAGR del 17,03% para el período de previsión (2025-2033F) debido a la creciente demanda de vehículos eléctricos (VE), los avances en la electrónica de potencia y las necesidades de miniaturización y alto rendimiento.

Análisis del mercado de obleas de carburo de silicio (SiC)

La industria de las obleas de SiC está observando una mayor tasa de crecimiento en la demanda impulsada por factores tales como el aumento de la adopción de vehículos eléctricos (VE), una mayor energía renovable y las inversiones en infraestructura 5G. Debido a sus excepcionales propiedades, como la alta conductividad térmica, el funcionamiento con alta tensión y las bajas pérdidas de conmutación, los dispositivos de potencia de SiC son ideales para los trenes motrices de los VE, los inversores solares, las estaciones base y otras aplicaciones de radiofrecuencia de alta frecuencia. Además, uno de los mayores desarrollos que se está produciendo es la transición de la industria de la producción de obleas de 6 a 8 pulgadas. Se espera que esta transición se expanda drásticamente durante el año previsto. Además, se espera que impulse los costes a la baja, los rendimientos al alza en 5-10 puntos, y proporcione una expansión en los márgenes. Además, las adquisiciones y las asociaciones ascendentes facilitan la integración vertical, lo que permite un mejor control sobre la calidad de los materiales, la fiabilidad de la cadena de suministro, la simplicidad de los costes y la ventaja competitiva. Por lo tanto, los VE, las energías renovables, las telecomunicaciones, el escalado de obleas y la integración vertical son algunos de los factores impulsores que están creando un crecimiento enérgico y elevado en el mercado de obleas de carburo de silicio.

Tendencias del mercado de obleas de carburo de silicio (SiC)

En esta sección se analizan las principales tendencias del mercado que influyen en los distintos segmentos del mercado de obleas de carburo de silicio (SiC), tal y como han sido identificadas por nuestros expertos en investigación.

Enfoque en los dispositivos SiC de grado automotriz

El creciente énfasis en los dispositivos de carburo de silicio (SiC) de grado automotriz es una tendencia importante en el mercado de obleas de carburo de silicio, que está incrementando eficazmente la demanda de obleas de SiC. Además, la mayor adopción de vehículos eléctricos (VE) en el mercado comercial ha aumentado los requisitos para los trenes motrices eléctricos. Los dispositivos SiC ofrecen la mayor tensión y las menores pérdidas de conmutación de los MOSFET junto con una mejor conducción térmica de los diodos Schottky que proporcionan una mayor utilidad en el silicio. Además, se traduce en una mayor autonomía, menores tiempos de carga y un diseño de sistema más compacto. Además, los inversores de tracción, los convertidores CC-CC y los cargadores integrados en las aplicaciones de automoción serían los más beneficiados de las obleas de SiC. Por lo tanto, estos requisitos han creado un nuevo enfoque para los fabricantes hacia los dispositivos SiC de grado automotriz que cumplen con los rigurosos estándares de calidad de la industria automotriz, como AEC-Q101.

Segmentación de la industria de obleas de carburo de silicio (SiC)

Esta sección proporciona un análisis de las principales tendencias en cada segmento del informe global del mercado de obleas de carburo de silicio (SiC), junto con las previsiones a nivel mundial, regional y nacional para 2025-2033.

La categoría de productos de 6 pulgadas domina el mercado de obleas de carburo de silicio (SiC).

Según el tamaño de la oblea, el mercado está segmentado en 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas y otros. La oblea de 6 pulgadas dominó el mercado debido a su gran resistencia al calor, alta capacidad térmica, alta velocidad, banda ancha y buen rendimiento. Los fabricantes de dispositivos de potencia están utilizando estas obleas debido a su tamaño adecuado para la producción de alto volumen y la rentabilidad. Además, su tamaño adecuado permite a los fabricantes producir muchos dispositivos de una sola vez, por lo que son rentables. Con una mayor tasa de producción, siguen manteniendo sus propiedades de excelente conductividad térmica y bajas pérdidas eléctricas. Este tamaño funciona bien para los coches eléctricos, los sistemas de energía verde y las grandes fuentes de alimentación para las fábricas. Además, la oblea de 6 pulgadas también encaja bien con las líneas de producción ya establecidas, lo que reduce los costes de fabricación y acelera la producción. A medida que la demanda de componentes robustos y energéticamente eficientes sigue creciendo, la adopción generalizada de obleas de SiC de 6 pulgadas impulsa significativamente la expansión del mercado.

La categoría de dispositivos de alimentación domina el mercado de obleas de carburo de silicio (SiC).

Según la aplicación, el mercado está segmentado en dispositivos de potencia, electrónica y optoelectrónica, dispositivos de radiofrecuencia (RF) y otros. En el mercado de obleas de carburo de silicio (SiC), la categoría de dispositivos de potencia dominó debido a sus propiedades características del material SiC que lo hacen muy apropiado para la electrónica de potencia de alto rendimiento. Con tensiones de ruptura superiores y velocidades de conmutación más rápidas, los dispositivos de potencia de SiC, como el MOSFET y el diodo Schottky, superan a sus homólogos de silicio. Además, el uso barato de energía, las dimensiones más pequeñas del sistema y los menores requisitos de refrigeración son características imprescindibles en aplicaciones de alta gama como los vehículos eléctricos (VE), los sistemas de energía renovable, los accionamientos de motores industriales y las redes inteligentes. Con la eficiencia energética y la electrificación en marcha, los dispositivos de potencia basados en SiC han allanado el camino para la sustitución de los dispositivos de silicio convencionales en la conversión y el control de la energía. La industria automotriz está creciendo a pasos agigantados, lo que ofrece una gran oportunidad para aumentar los dispositivos SiC con el fin de mejorar la eficiencia del tren motriz y, por lo tanto, extender la autonomía de la batería.

América del Norte mantuvo una cuota dominante del mercado de obleas de carburo de silicio (SiC) en 2024

La región de América del Norte fue testigo de un crecimiento estimulante en el mercado de obleas de carburo de silicio (SiC) debido al importante apoyo de los gobiernos miembros. Además, los programas de subvenciones, créditos fiscales y préstamos en tierra de capacidad de semiconductores críticos, reduciendo la dependencia de los proveedores extranjeros en América del Norte. Además, las empresas de fabricación están comprometiendo miles de millones de dólares para construir y escalar nuevas fábricas de obleas de carburo de silicio de 200 mm en la región de América del Norte. Además, el desarrollo de nueva capacidad de fabricación en tierra está mejorando la capacidad de producción, lo que permite a los fabricantes tradicionales integrar verticalmente la fabricación de obleas con el ensamblaje de dispositivos, solidificando las cadenas de suministro locales. Además, centros de investigación como PowerAmerica y el Centro de Cristal de Carburo de Silicio de onsemi garantizan la facilidad de facilitar la rápida transferencia de tecnología del laboratorio a la fábrica. Colectivamente, este impulso coordinado de los sectores público y privado, que abarca la política, la inversión, la nueva integración, la innovación y la demanda del mercado final, está impulsando a América del Norte como líder mundial en el mercado de obleas de carburo de silicio.

EE. UU. mantuvo una cuota dominante del mercado norteamericano de obleas de carburo de silicio (SiC) en 2024.

El crecimiento del mercado de obleas de carburo de silicio (SiC) en los EE. UU. está impulsado por la demanda de componentes SiC de alta eficiencia y alto voltaje, el aumento de la tasa de absorción de los VE, el despliegue de energía renovable, la expansión del centro de datos y el despliegue de infraestructura 5G. Además, los principales fabricantes de EE. UU. se están esforzando por innovar, ser más integrados verticalmente y cumplir con los estándares de calidad de grado automotriz. Además, una tormenta de financiación federal a través de la Ley CHIPS y Ciencia, ha dirigido miles de millones en fábricas de obleas de SiC hasta USD 750 millones a Wolfspeed, USD 225 millones a Bosch, para construir y expandir fábricas de obleas de SiC en Carolina del Norte, California y más allá con el objetivo de aumentar la capacidad de producción de EE. UU. Además, Wolfspeed aprovecharía estos fondos con inversión privada para construir fábricas de 200 mm que "cambiarán el juego" en el norte del estado de Nueva York y el condado de Chatham, y Bosch alteraría completamente su sitio de Roseville en un importante centro de SiC de EE. UU. entregando casi el 40% de la capacidad nacional para 2026. Por lo tanto, las asociaciones públicas y privadas están convirtiendo a la industria de EE. UU. en un líder del mercado mundial en la producción de obleas de carburo de silicio y asegurando las cadenas de suministro de próxima generación.

Panorama competitivo de las obleas de carburo de silicio (SiC)

El mercado de obleas de carburo de silicio (SiC) es competitivo y está fragmentado, con varios actores del mercado mundial e internacional. Los principales actores están adoptando diferentes estrategias de crecimiento para mejorar su presencia en el mercado, como asociaciones, acuerdos, colaboraciones, lanzamientos de nuevos productos, expansiones geográficas y fusiones y adquisiciones.

Principales empresas de obleas de carburo de silicio (SiC)

Los principales actores que operan en el mercado son Wolfspeed, Inc., Coherent Corp., Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd, STMicroelectronics NV, Resonac Holdings Corporation, Atecom Technology Co. Ltd, SK Siltron Co. Ltd., SiCrystal GmbH, TankeBlue Co. Ltd. y Silicon Valley Microelectronics (SVM)

Noticias del mercado de obleas de carburo de silicio (SiC)

• El 7 de marzo de 2022, II‐VI Incorporated, uno de los líderes en semiconductores de banda ancha, anunció que aceleraría su inversión en la fabricación de sustratos de carburo de silicio (SiC) de 150 mm y 200 mm y obleas epitaxiales con expansiones de fábricas a gran escala en Easton, Pensilvania, y Kista, Suecia. Esto forma parte de la inversión de 1.000 millones de dólares en SiC que la empresa anunció anteriormente para los próximos 10 años.

• El 24 de septiembre de 2024, Resonac Corporation anunció que ha firmado un acuerdo con Soitec, un fabricante francés de materiales avanzados de sustratos de semiconductores, para desarrollar conjuntamente sustratos unidos de carburo de silicio (SiC) de 200 mm (8 pulgadas), que servirán como material para las obleas epitaxiales de SiC utilizadas en los semiconductores de potencia.

• El 23 de abril de 2024, Infineon Technologies finalizó un acuerdo con el fabricante mundial de semiconductores SK Siltron CSS, cuyo objetivo era estipular la producción de obleas de carburo de silicio de 150 mm por parte de SK Siltron para Infineon.

Cobertura del informe del mercado de obleas de carburo (SiC)