Marché des plaquettes en carbure de silicium (SiC) : Analyse actuelle et prévisions (2025-2033)

Taille et prévisions du marché des wafers en carbure de silicium (SiC)

Le marché des wafers en carbure de silicium (SiC) était évalué à 1156,66 millions USD en 2024 et devrait croître à un TCAC soutenu de 17,03 % pour la période de prévision (2025-2033F) en raison de la demande croissante de véhicules électriques (VE), des progrès de l'électronique de puissance et des besoins en miniaturisation et en hautes performances.

Analyse du marché des wafers en carbure de silicium (SiC)

L'industrie des wafers en SiC observe un taux de croissance plus élevé de la demande, tiré par des facteurs tels que l'adoption accrue de véhicules électriques (VE), l'augmentation de l'énergie renouvelable et les investissements dans l'infrastructure 5G. En raison de ses propriétés exceptionnelles, telles qu'une conductivité thermique élevée, un fonctionnement à haute tension et de faibles pertes de commutation, les dispositifs de puissance SiC sont parfaitement adaptés aux groupes motopropulseurs des VE, aux onduleurs solaires, aux stations de base et à d'autres applications RF à haute fréquence. De plus, l'un des développements les plus importants est la transition de l'industrie de la production de wafers de 6 pouces à 8 pouces. Cette transition devrait s'étendre considérablement au cours de l'année prévue. De plus, elle devrait entraîner une baisse des coûts, une augmentation des rendements de 5 à 10 points et une expansion des marges. De plus, les acquisitions et les partenariats en amont facilitent l'intégration verticale, permettant un meilleur contrôle de la qualité des matériaux, de la fiabilité de la chaîne d'approvisionnement, de la simplicité des coûts et un avantage concurrentiel. Par conséquent, les VE, les énergies renouvelables, les télécommunications, la mise à l'échelle des wafers et l'intégration verticale sont quelques-uns des facteurs moteurs qui créent une croissance énergique et élevée sur le marché des wafers en carbure de silicium.

Tendances du marché des wafers en carbure de silicium (SiC)

Cette section traite des principales tendances du marché qui influencent les différents segments du marché des wafers en carbure de silicium (SiC), telles qu'identifiées par nos experts en recherche.

Accent mis sur les dispositifs SiC de qualité automobile

L'accent croissant mis sur les dispositifs en carbure de silicium (SiC) de qualité automobile est une tendance majeure sur le marché des wafers en carbure de silicium, qui intensifie efficacement la demande de wafers en SiC. De plus, l'adoption accrue de véhicules électriques (VE) sur le marché commercial a augmenté les besoins en groupes motopropulseurs électriques. Les dispositifs SiC offrent la tension plus élevée et les pertes de commutation plus faibles des MOSFET conjointement avec une meilleure conduction thermique des diodes Schottky, ce qui offre une utilité accrue dans le silicium.  De plus, cela se traduit par une plus grande autonomie, des temps de charge plus courts et une conception de système plus compacte. De plus, les onduleurs de traction, les convertisseurs CC-CC et les chargeurs embarqués dans les applications automobiles seraient ceux qui bénéficieraient le plus des wafers SiC. Par conséquent, ces exigences ont créé un nouvel objectif pour les fabricants : les dispositifs SiC de qualité automobile qui répondent aux normes de qualité rigoureuses de l'industrie automobile, telles que AEC-Q101.

Segmentation de l'industrie des wafers en carbure de silicium (SiC)

Cette section fournit une analyse des principales tendances de chaque segment du rapport mondial sur le marché des wafers en carbure de silicium (SiC), ainsi que des prévisions aux niveaux mondial, régional et national pour 2025-2033.

La catégorie de produits 6 pouces domine le marché des wafers en carbure de silicium (SiC).

En fonction de la taille des wafers, le marché est segmenté en 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces et autres. Le wafer de 6 pouces a dominé le marché en raison de sa grande résistance à la chaleur, de sa capacité thermique élevée, de sa vitesse élevée, de sa large bande et de ses bonnes performances. Les fabricants de dispositifs de puissance utilisent ces wafers en raison de leur taille adaptée à la production à grand volume et de leur rentabilité. De plus, leur taille adaptée permet aux fabricants de produire de nombreux dispositifs en une seule fois, ce qui est donc rentable. Avec un taux de production plus élevé, ils conservent toujours leurs propriétés d'excellente conductivité thermique et de faibles pertes électriques. Cette taille convient bien aux voitures électriques, aux systèmes d'énergie verte et aux grandes alimentations électriques pour les usines. De plus, le wafer de 6 pouces s'adapte également bien aux chaînes de production déjà établies, ce qui réduit les coûts de fabrication et accélère la production. Alors que la demande de composants robustes et écoénergétiques continue de croître, l'adoption généralisée de wafers SiC de 6 pouces propulse considérablement l'expansion du marché.

La catégorie des dispositifs de puissance domine le marché des wafers en carbure de silicium (SiC).

En fonction de l'application, le marché est segmenté en dispositifs de puissance, électronique et optoélectronique, dispositifs de radiofréquence (RF) et autres. Sur le marché des wafers en carbure de silicium (SiC), la catégorie des dispositifs de puissance a dominé en raison des propriétés caractéristiques du matériau SiC qui le rendent très approprié pour l'électronique de puissance haute performance. Avec des tensions de claquage supérieures et des vitesses de commutation plus rapides, les dispositifs de puissance SiC, tels que les MOSFET et les diodes Schottky, surpassent leurs homologues en silicium. De plus, une utilisation d'énergie bon marché, des dimensions de système plus petites et des besoins de refroidissement inférieurs sont des caractéristiques essentielles dans les applications haut de gamme telles que les véhicules électriques (VE), les systèmes d'énergie renouvelable, les entraînements de moteurs industriels et les réseaux intelligents. Avec l'efficacité énergétique et l'électrification en cours, les dispositifs de puissance à base de SiC ont ouvert la voie au remplacement des dispositifs en silicium conventionnels dans la conversion et le contrôle de puissance. L'industrie automobile se développe à pas de géant, offrant une forte opportunité d'augmenter les dispositifs SiC pour améliorer l'efficacité du groupe motopropulseur et ainsi étendre l'autonomie de la batterie.

L'Amérique du Nord a détenu une part dominante du marché des wafers en carbure de silicium (SiC) en 2024

La région Amérique du Nord a connu une croissance rapide du marché des wafers en carbure de silicium (SiC) grâce au soutien important des gouvernements membres. De plus, des programmes de subventions, de crédits d'impôt et de prêts relocalisent la capacité critique des semi-conducteurs, réduisant ainsi la dépendance aux fournisseurs étrangers en Amérique du Nord. De plus, les entreprises manufacturières engagent des milliards de dollars pour construire et mettre à l'échelle de nouvelles usines de wafers en carbure de silicium de 200 mm dans la région Amérique du Nord. De plus, le développement de nouvelles capacités de fabrication sur le territoire améliore la capacité de production, permettant aux fabricants traditionnels d'intégrer verticalement la fabrication de wafers à l'assemblage de dispositifs, consolidant ainsi les chaînes d'approvisionnement locales. De plus, les centres de recherche tels que PowerAmerica et le centre de cristaux de carbure de silicium d'onsemi garantissent la facilité de la facilitation du transfert rapide de technologie du laboratoire à l'usine. Collectivement, cette impulsion coordonnée des secteurs public et privé, englobant la politique, l'investissement, la nouvelle intégration, l'innovation et la demande du marché final, propulse l'Amérique du Nord en tant que leader mondial sur le marché des wafers en carbure de silicium.

Les États-Unis ont détenu une part dominante du marché nord-américain des wafers en carbure de silicium (SiC) en 2024.

La croissance du marché des wafers en carbure de silicium (SiC) aux États-Unis est tirée par la demande de composants SiC à haute efficacité et à haute tension, l'augmentation du taux d'adoption des VE, le déploiement des énergies renouvelables, l'expansion des centres de données et le déploiement de l'infrastructure 5G. De plus, les principaux fabricants américains s'efforcent d'innover, de devenir plus intégrés verticalement et de répondre aux normes de qualité de qualité automobile. De plus, une tempête de financement fédéral par le biais de la loi CHIPS and Science a dirigé des milliards de dollars vers les usines de wafers SiC, jusqu'à 750 millions USD à Wolfspeed, 225 millions USD à Bosch, pour construire et étendre les usines de wafers SiC en Caroline du Nord, en Californie et au-delà, dans le but d'augmenter la capacité de production américaine. De plus, Wolfspeed tirerait parti de ces fonds avec des investissements privés pour construire des usines "révolutionnaires" de 200 mm dans le nord de l'État de New York et dans le comté de Chatham, et Bosch transformerait complètement son site de Roseville en un important centre SiC américain fournissant près de 40 % de la capacité nationale d'ici 2026. Par conséquent, les partenariats public-privé font de l'industrie américaine un leader mondial du marché de la production de wafers en carbure de silicium et sécurisent les chaînes d'approvisionnement de nouvelle génération.

Paysage concurrentiel des wafers en carbure de silicium (SiC)

Le marché des wafers en carbure de silicium (SiC) est concurrentiel et fragmenté, avec plusieurs acteurs du marché mondiaux et internationaux. Les principaux acteurs adoptent différentes stratégies de croissance pour améliorer leur présence sur le marché, telles que les partenariats, les accords, les collaborations, les lancements de nouveaux produits, les expansions géographiques, ainsi que les fusions et acquisitions.

Principales entreprises de wafers en carbure de silicium (SiC)

Les principaux acteurs opérant sur le marché sont Wolfspeed, Inc., Coherent Corp., Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd, STMicroelectronics NV, Resonac Holdings Corporation, Atecom Technology Co. Ltd, SK Siltron Co. Ltd., SiCrystal GmbH, TankeBlue Co. Ltd. et Silicon Valley Microelectronics (SVM)

Actualités du marché des wafers en carbure de silicium (SiC)

• Le 7 mars 2022, II-VI Incorporated, l'un des leaders des semi-conducteurs à large bande interdite, a annoncé qu'elle accélérerait son investissement dans la fabrication de substrats et de wafers épitaxiaux en carbure de silicium (SiC) de 150 mm et 200 mm avec des expansions d'usine à grande échelle à Easton, en Pennsylvanie, et à Kista, en Suède. Cela fait partie de l'investissement de 1 milliard de dollars en SiC sur les 10 prochaines années annoncé précédemment par la société.

• Le 24 septembre 2024, Resonac Corporation a annoncé qu'elle avait signé un accord avec Soitec, un fabricant français de matériaux de substrats semi-conducteurs avancés, pour développer conjointement des substrats liés en carbure de silicium (SiC) de 200 mm (8 pouces), qui serviraient de matériau pour les wafers épitaxiaux SiC utilisés dans les semi-conducteurs de puissance.

• Le 23 avril 2024, Infineon Technologies a finalisé un accord avec le fabricant mondial de semi-conducteurs SK Siltron CSS, qui visait à stipuler la production de wafers en carbure de silicium de 150 mm par SK Siltron pour Infineon.

Couverture du rapport sur le marché des wafers en carbure (SiC)